内存封装技术示范-计算机组装和维护（第2版）操作教程

第四节　内存的封装技术

封装形式也就是内存芯片的引脚形式。内存工艺的不同决定了内存在稳定性和兼容性方面存在很大的差异，其工艺主要表现在内存的封装技术上。

目前内存的封装技术主要有TSOP II，BLP，MicroBGA和TinyBGA共4种。其中TSOP II被广泛应用在SDRAM内存的制造上，随着内存技术的进步，也将逐步被淘汰。

1.TSOP II

TSOP II（Thin Small Out-line Package II）直译为第二代薄型小尺寸封装。SDRAM和DDR SDRAM内存颗粒基本都采用TSOP II形式封装，同时由于显存颗粒大部分也属于SDRAM以及DDR SDRAM，所以也采用TSOP II封装。虽然TSOP II是最普遍的内存颗粒封装形式，但是随着时间的推移和技术的进步，TSOP II已越来越不适用于高频、高速的新一代内存，即将面临被淘汰的命运。

2.TinyBGA(www.xing528.com)

TinyBGA即小型球栅阵列封装（Tiny Ball Grid Array），由内存厂商KingMax独家开发，属于专利技术。采用TinyBGA封装的颗粒大约只有采用TSOP II封装的颗粒面积的一半，TinyBGA封装的引脚数明显多于TSOP II，从而使I/O端口得以增加，这样就有效地缩短了信号的传导距离，减轻了信号的衰减程度，从而增强了芯片的抗干扰能力（EMI电磁干扰）。

3.MicroBGA

MicroBGA全称为微球栅阵列（Micro Ball Grid Array即MicroBGA），其特点是体积小，成本低廉，并且可以满足未来很长一段时间内频率的提升，MicroBGA封装号称可以满足高达10GHz的工作频率的要求。MicroBGA无疑比TSOP II封装技术要优秀得多。目前，RDRAM以及新一代DDR SDRAM显存颗粒都在使用MicroBGA封装技术，而且部分DDR SDRAM产品也将开始采用MicroBGA封装的颗粒制造。总体看来，MicroBGA的发展前景相当乐观，同时也代表着未来内存封装形式的一个发展方向。

4.BLP

BLP属于新一代封装技术，采用BLP技术封装的内存颗粒在电阻、电容、电感以及最高频率等电气特性上表现得很突出，而且散热量很小，性能比较稳定。