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赫布律:记忆哲学-记忆哲学

时间:2023-12-03 理论教育 版权反馈
【摘要】:(一)赫布律唐纳德·赫布在1949年所提出的赫布律是基于艾宾浩斯的反射理论提出的。当神经元接收这样一个信号时,它的树突上的跨膜电位差轻微地升高,这种膜电位的局部改变被称为神经元突触的“激发”。但是通常单个突触短暂地激发不足以使一个神经元发生冲动,即术语称的动作电位。根据这一“细胞集合”的理论,赫布将记忆分为了长期记忆和短期记忆。短期记忆持续时间不超过一分钟,而且与由环境事件所引发的反射神经活动相联结。

赫布律:记忆哲学-记忆哲学

(一)赫布律

唐纳德·赫布在1949年所提出的赫布律是基于艾宾浩斯的反射理论提出的。他认为记忆的产生源于被激活的神经元及与之关联或相近的神经元之间的联合形成的回路,导致了神经元记住了信息。其中有三个假设:(1)共同激活的神经元成为联合;(2)联合能发生在相邻的或疏远的神经元间,即整个皮层是联合存储;(3)如果神经元成为联合,它们将发展成为功能体,细胞集合。

需要注意的是:不是所有输入信号都能激发神经细胞产生自己的信号。神经元就像个微处理芯片,它通过突触接收大量的信号,并且不断地把从突触接收到的输入信号进行整合。但不同的是,微处理器有许多输出途径,神经元则只有一个,就是它的轴突。所以,神经元对输入信号的反应方式只有一个:要么通过轴突激发一个冲动,向回路中相邻的一个神经元发出信号,要么相反,不发出信号。当神经元接收这样一个信号时,它的树突上的跨膜电位差轻微地升高,这种膜电位的局部改变被称为神经元突触的“激发”。当突触快速、高频地激发,就会发生一次性强化,即在短时记忆形成过程中观察到的变化。但是通常单个突触短暂地激发不足以使一个神经元发生冲动,即术语称的动作电位。当神经元的许多突触一起激发,共同的作用下就会改变神经元膜电位,产生动作电位,把信号传递到回路中的另一个神经元。(www.xing528.com)

根据这一“细胞集合”的理论,赫布将记忆分为了长期记忆和短期记忆。短期记忆持续时间不超过一分钟,而且与由环境事件所引发的反射神经活动相联结。如果一个经验重复足够的次数,此经验就可储存在长期记忆中。短期记忆转化为长期记忆的过程就称做凝固作用。如果在凝固作用期间发生了创伤经验,那么短期记忆就无法转化为长期记忆。

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