常规晶体硅太阳电池的制备方法、进展与演变

本章阐述了常规晶体硅太阳电池的制备方法以及其在工艺和结构上的各种进展和演变。常规晶硅是基于铝表面场的结构。铝背场在一定程度上减小背表面的复合损失，提高了电池的Voc。近年来随着设备和材料的不断改进提高，这种常规晶体硅太阳电池的性能也不断提高，铝背场的复合损失以及它的极低的背表面光反射成了限制这种电池性能的主要因素。

因而本章进一步阐述了高效晶体硅太阳太阳电池的理论和技术方法。抛弃了铝背场而采用背面钝化，成了高效太阳电池的主要特征，再加上多样的发射结设计和电池结构的多样化，陷光效应的设计，金属接触的设计等。高效太阳电池成为晶体硅电池发展的一个新领域。

最后，作者感谢李鹏、党王娟、王建波、王丽春、宣荣卫、赵彦、黄海冰、吕俊、杨怡在写作过程中的协助。

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