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太阳能光伏应用中的PERL电池

时间:2023-11-27 理论教育 版权反馈
【摘要】:由此可见,想进一步超过PERL电池的25.0%的效率是相当困难的了。因此PERL电池的转换效率世界纪录已经保持了14年仍未被打破[49]。从图6.23可见,PERL电池正、背表面都有热生长氧化层钝化。图6.24实际测量的最佳PERL电池的光谱相应特性,曲线从下到上为反射率,EQE和IQE表6.1给出了在美国Sandia实验室测到的PERL电池的性能。表6.1PERL电池的性能表中的前两个电池是在Wacker FZ单晶片上制造的4cm2 PERL电池在美国Sandia国家实验室测量的性能。

太阳能光伏应用中的PERL电池

6.5.1.1 PERL电池的结构及制造方法

PERL电池的全名是钝化发射极、背面局部扩散电池(Passivated Emitter,Rear Locally-diffused)cell。它的结构如图6.23所示。它是目前世界上光-电转换效率最高的晶体光伏电池。PERL电池是1989年开始在澳大利亚新南威尔士大学的光伏研究中心研制出来的,它的光电转换效率在这之后的10年中被不断提高,最后在1999年到达了24.7%[23]

图6.23 PERL(Passivated Emitter,Rear Locally-diffused)电池结构[23]

效率最高的晶硅电池也只能将1/4的太阳光射入能量被转变成了电池的输出电力能量,这看来好像是个不大高的效率,但考虑到:①晶体硅只能吸收太阳光谱的短波能量,红外光谱得不到利用;②每个光子的能量超过禁带宽度的部分会全部变成热量而损失掉;③电池的输出电压是费米能级之差的0.7V左右,而不是吸收的光子能量-也就是禁带宽度的1.12eV。这前三点都是晶体硅材料和器件本征特性决定而无法避免的。④最后才是电池设计工艺方面造成的相对比较小的损失量:如金属遮光损失,表面的光反射损失,陷光机理的背表面内反射损失,表面与体内的复合损失,以及电流传输时造成的电阻损失。实际上PERL电池的IQE(内部光量子效率)在整个晶体硅的光谱吸收波段都极其接近于100%,也就是每个吸收的光子都产生了一个电子电流。由此可见,想进一步超过PERL电池的25.0%的效率是相当困难的了。因此PERL电池的转换效率世界纪录已经保持了14年仍未被打破[49]

PERL电池采用了1Ω·cm低电阻率Wacker FZ单晶硅片,以保证原始硅材料内极高的载流子寿命,并且在加工工艺过程中保持了这种高载流子的寿命。从图6.23可见,PERL电池正、背表面都有热生长氧化层钝化。在正、背表面的金属接触区域,也被浓扩散区域钝化,以减小金属接触处的复合损失。这样全部硅表面处的复合损失才达到最小。从而电池内部的光生载流子接近100%地被发射结分离形成输出电流。而且极低的总复合率,也造成了极高的开路电压。PERL电池的开路电压Voc一般在700~710mV。

PERL电池的正面采用了有序倒金字塔的绒面结构,加上ZnS/MgF2双层减反射层,使电池的正面光反射损失达到最低,另外,PERL电池的正面金属采用了Liftoff工艺,蒸发反刻形成的金属栅线只有2.5μm宽,电镀银后的栅线宽度也只有20μm,从而大大减小了栅线遮光损失,还可以把栅线间距缩减到小于1mm,从而在200~300Ω/□的高阻发射区条件下也不会产生过大的发射区电阻损失。

PERL电池的背面(如图6.23),也是用蒸发纯铝,在浓扩散的p+区域上形成点状接触,点接触的面积不到背面总面积的1%。这更进一步减小了背面金属接触造成的复合损失。背面的Si/SiO2/Al结构还形成了一个最佳的背表面内反射镜。与正面倒金字塔相结合,这形成了一个极佳的陷光结构。在一个47μm超薄PERL电池的试验中,这个结构的陷光次数接近了理想的4n2,即50次内反射[50]

此外,背面的硼扩散也是用UNSW自己研发的BBr3液态源扩散完成[51]。以前的各种半导体上使用的硼扩散方法都对硅片表面造成很大损伤,造成表面复合率增加。而这种BBr3扩散方法才形成了低表面复合的p型接触区域,为高效电池奠定了基础。由于PERL电池采用了当时最佳的TCA热氧化表面钝化,BBr3硼扩散和极小面积金属接触,以及金属接触区的扩散钝化技术,PERL电池的表面复合被抑制到极低的水平,因而PERL电池内部的光生载流子以接近100%几率被p-n结收集,形成极高的输出电流。

6.5.1.2 PERL电池的性能

图6.24是在美国Sandia国家实验室测量的PERL电池的表面反射率(实心三角点),外部量子效率(EQE,空心方点)和内部量子效率(IQE,实心方点)的曲线,可以看到其内部量子响应IQE(也就是光子转变成电子形成电流的几率)从400~1 100nm波段都几乎是100%。在1 000nm以上的长波段,有很多载流子产生在电池的背面,复合的作用使载流子传输到正面发射结的效率下降。另外,由于多次背面内反射的陷光效应,小于100%的背表面反射率,也进一步降低了这个波长段的IQE。而在低于400nm短波段,也观察到EQE和IQE有很大下降。但这是由于ZnS减反膜对短波的吸收,而不是硅内部光子到电流转换的效率变化。实际上,早期的PERL电池的正面是由1 100厚的SiO2完成表面钝化,由于没有ZnS层对短波的吸收,这种电池在300~400nm波长内的IQE都是100%。

在图6.24的下面的黄色曲线是表面的反射。在1 200nm长波下从电池正面测到的反射率只有40%到50%。这表明它有极好的陷光作用。另外要提一下的是Sandia在具有陷光效应的曲线下,加上了他们延伸推算出来的表面反射的曲线(右下边的空心三角点曲线),也就是不计陷光效应的表面反射率。由图6.24可见,PERL电池的外部量子响应曲线也是在整个吸收波段上非常接近100%,从而实现了大于42mA/cm2的极高的短路电流密度。(www.xing528.com)

图6.24 实际测量的最佳PERL电池的光谱相应特性,曲线从下到上为反射率,EQE和IQE

表6.1给出了在美国Sandia实验室测到的PERL电池的性能。这个性能是在1999年和1996年分别测量的,2008年的光谱修正使第一个电池的效率从24.7%[23]提高到25%[24]。前两个4cm2的小面积电池是未切片的电池,电池还在一个4吋圆形硅片的中间。然而测量过程中4cm2电池之外的硅片面积完全用挡板遮盖。由于光照的电池面积内片光生载流子密度很高,这些载流子会向被遮盖的硅电池周边的暗区扩散,这也会造成一定的电流损失。

表6.1 PERL电池的性能

表中的前两个电池是在Wacker FZ单晶片上制造的4cm2 PERL电池在美国Sandia国家实验室测量的性能。测试条件为25℃,1 000mW/cm2的AM1.5光谱下。

而表6.1最下一行的21.6cm2的电池是一个大约4cm×5.5cm的切片PERL电池。由于电池设计的Busbar在电池的一边。其栅线长约4cm,因而栅线的宽度增加为35μm,比4cm2的16μm宽的栅线遮光损失增大很多。另外它的四周的切片处的复合损失,也使电池的测量效率有很大下降。如果把这种电池制造成在常用的125mm方形硅片上,其边缘的复合损失会大大降低,估计其效率应当在24.5%左右。

在PERL电池的研制过程中,对电池边缘的钝化也进行了大量的试验,可惜都没有成功。这种21.6cm2的PERL电池被日本本田公司用于1996年澳大利亚的太阳车挑战赛上,并赢得了冠军[52]。后来PERL电池还被制成两个一平方呎的小组件,并得到了22.7%的晶硅光伏组件效率世界纪录[52]

除了用FZ单晶制作PERL电池之外,UNSW还把PERL电池制作在日本SEH公司提供的各种晶硅衬底上。其中最为成功的是在掺硼MCZ(Magnetically confined CZ)材料上制作的PERL电池,它达到了24.5%的光-电转换效率[23]。后来国内也有人试验生长MCZ硅片。但MCZ的4 000Gs的超强磁场需要用超导线圈来实现,因而成本太高,近来的试验多是用1 000Gs的永久磁铁制造MCZ硅片,其性能当然也会差很多。MCZ的强磁场会使熔化的硅变得黏稠,从而减少输运SiO2坩锅上熔解下来的氧元素进入硅熔液内。减弱的磁场对氧元素的抑制作用也大大降低了。

另外,人们对掺镓硅片也作了大量的试验工作。没有了硼-氧对的作用掺镓硅片的载流子寿命很高,可以超过1ms。因此在掺镓硅片的电池也可超过22%的效率[28]。掺镓硅片的另一个好处是没有了硼掺杂,也避免了电池的光照衰退(LID)。因此在2010年以前,国内曾经有许多硅片厂制造掺镓的硅片。但随着硅原料由供不应求转变为供过于求,硅料的纯度和硅片的加工质量也相应提高,在这种改进之后,硅片厂对掺镓硅片上的兴趣也停止了,看来主要还是成本问题使得掺镓硅片在普通电池上停止使用。但将来回到高效电池上发展,掺镓硅片还是很有潜力的。

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