为减小电池表面的光反射,目前晶硅电池生产中都采用表面绒面结构,如图6.19(a)所示随机金字塔结构在单晶电池生产中最为普遍,然而如图6.19(b)中的倒金字塔结构也很普遍地用于研发类型的高效电池。这些绒面结构利用如图6.3(a)所示“两次反射”机理能大大减小电池表面的光反射。
图6.19 减小反射的表面绒面结构(a)随机金字塔绒面 (b)有序倒金字塔绒面
晶体硅是间接禁带半导体,它对红外光的吸收率比较低,因此很大的一部分红外光在穿透硅片后还没有被吸收。而铝烧结形成的合金结背面场对光的内反射率很低,接近于零,因而穿透硅片的红外光就在铝背场处消失掉了。因此,如果把背表面改成一个反射镜,穿透了电池的红外光会被反射回到电池体内。如图6.20(a)所示的平面电池,这种背面镜能将入射光在硅体内的吸收厚度加倍,因为背面反射的光线回到了正表面后还是可以逃逸出电池。
图6.20 陷光效应示意图 (a)背表面镜将到达背表面的光线反射回衬底中(b)正表面绒面结构与背表面镜结合,可将光线陷在硅片表面之间
金字塔绒面结构可以使垂直入射光在电池表面入射两次,从而大大降低反射损失。而且在这个过程中,在金字塔斜面上入射的光线会改变入射方向,如图6.20 (b)所示。这样,在背面反射的光线再次回到正表面时,大部分会满足内部全反射的条件,而被再次反射回电池内部。如此光线就会被陷在了电池的正背面之间,这可将光线“陷”在衬底内最高可达4n2次[46,47]。这里n为硅的折射率,所以最大的陷光倍数约为50次[46,47]。(www.xing528.com)
图6.21给出了理论计算出来的不同电池表面结构的陷光倍数,也就是光线通过电池衬底的次数,以及多大比例的光线能存在这种陷光作用。可以看到,其实研发中采用的有序金字塔结构的陷光作用是比较差的,但由于研发采用了光刻技术,随机金字塔绒面不合适于光刻工艺,因而不被研发采用。在图6.21中可以看到[46,47],随机金字塔比有序金字塔的陷光作用实际上好很多。最好的陷光结构是Lambertian,也就是光线在正表面随机角度内反射,这样的陷光作用远高于金字塔结构。可惜Lambertian结构只是一个理论模型,并没有实际结构能与其对应。
图6.21 理论计算出的不同电池表面结构的陷光性能[47]
图6.22 测量的平面和绒面PERC电池的表面反射性能,1 200nm以上波长的60%的反射意味着它具有很好的陷光效应
实际在具有背反射镜的PERC电池的测量结果如图6.22所示。平面PERC电池对1.2μm以上波长的红外光的反射率为90%左右,这是最不理想[如图6.19 (a)]的2倍陷光的效果。而很好的陷光作用使倒金字塔绒面的PERC对同样波长的电池的红外光反射率下降到55%左右。从另一个角度来看,在1 200nm波长下,无陷光机制的平面PERC电池只吸收了10%的入射光,而具有陷光机构的倒金字塔PERC电池在同样1 200nm波长下的光吸收率被增加了5倍以上,达到了55%左右。可见虽然有了陷光机构,还是有相当量的长波在背面反射后,最终从电池的正面逃出电池。由此从理论分析计算出背表面的光线内反射率在97%左右[48]。
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