首页 理论教育 5个价电子的分子的激发态及高配位数成因

5个价电子的分子的激发态及高配位数成因

时间:2023-11-24 理论教育 版权反馈
【摘要】:具有5个价电子的分子中,占有πu-2a1轨道的电子受到激发时会跃迁到πu-1b1轨道,因而基态时呈弯曲形的BH2或AlH2分子在激发态时反而变成了直线形。但因孤对电子的挤压作用,使之小于120。较高配位数成因:①高氧化态有利于提高配位数;②原子或离子半径大。以上两因素均使配体引起M的d轨道能级劈裂自上而下增大,超过电子成对能,因而形成低自旋配合物。

5个价电子的分子的激发态及高配位数成因

1.

(A)Ci点群,有永久电偶极矩,有光学活性

(B)C3v点群,有永久电偶极矩,无光学活性

(C)D5d点群,无永久电偶极矩,无光学活性

(D)C3点群,有永久电偶极矩,有光学活性

2.(1)(A)D∞h;(B)C2h;(C)C2

(2)(C)合理。因为(A)、(B)均有“对称中心”,根据“相斥规则”,它们的振动方式不可能同时显示IR活性和Raman活性,而实测光谱数据表明在~870和~3410 cm-1同时出现IR和Raman谱带,这就排除了(A)和(B),只有(C)合理。旁式H2O2结构有一个C2轴,2个H–O键位于2个不同平面内,O–O键位于2个平面交线,因此σ键转动不影响分子结构对称性。

3.据VSEPR模型,BrF5中Br有6对价电子,由于电子互斥作用大小顺序为:L-L > L-B >B-B,轴向Br孤对电子对四方锥底部平面4对Br-F成键电子的斥力>轴向Br-F成键电子对相应斥力,使底平面4个F原子上移,则Br原子位于该平面之下。

而在[Ni(CN)5]3-中,Ni(Ⅱ)价层只有5对电子,Ni(Ⅱ)采用轨道参与dsp3杂化,由于是空轨道,允许赤道平面4个CN-配体充分接近中心Ni2+成键,故赤道平面上4个Ni-CN键比轴向(z方向)Ni-CN键短些。成键电子对互斥作用增强,轴向Ni-CN与底平面4个Ni-CN成键电子对也互相排斥,造成底平面4个CN-基均下移,使Ni(Ⅱ)位于该平面之上。

4.据Walsh相关图能级顺序,各分子价层电子填充情况如下:

CH2、SiH2 (6e):(1a1)2(1b2)2(2a1)2(1b1)0

NH2、PH2 (7e):(1a1)2(1b2)2(2a1)2(1b1)1

H2O、H2S (8e):(1a1)2(1b2)2(2a1)2(1b1)2

1b1为非键轨道,由于弯曲构型2a1轨道能量比直线构型的低,故均采用弯曲构型。

系列(1)的分子中,只是非键1b1轨道填充电子数不同,中心原子Si、P和S体积比第二周期同族元素原子大,而它们互相间的电负性差小,对键角影响很小,故均为92˚。(www.xing528.com)

系列(2)的分子中,也只是非键1b1轨道填充电子数不同,但中心原子C、N和O半径小,电负性C < N < O,使中心原子附近电子密度CH2 < NH2 < H2O,故键角依次有所增大。

同族第二、三周期元素的AH2分子相比:电负性C > Si,N > P,O > S;原子半径C < Si,N < P,O < S。这两个因素造成中心原子附近电子密度CH2 > Si2,NH2 > PH2,H2O > H2S,这也就是键角变化的顺序。(Baird N C,J Chem Educ,1978,55:412~417)

具有4个价电子的直线形分子BeH2或HgH2处于第一激发态时,一个在1σu-1b2轨道的电子跃迁到πu-2a1非键轨道,由于弯曲形分子在该轨道的能量比直线形分子低得多,因此基态为直线形的分子在激发态会变成弯曲形。具有5个价电子的分子中,占有πu-2a1轨道的电子受到激发时会跃迁到πu-1b1轨道,因而基态时呈弯曲形的BH2或AlH2分子在激发态时反而变成了直线形。

5.在P4O10分子中,有桥基P-O键和端基P-O键两种类型的P-O键;P4S10分子中亦有两类P-S键。电负性O(3.5) >> P(2.1),使端基P=O键具有明显的双键性质,即P→Oσ键+O→P的p-d反馈π键,使其键长显著短于桥式P-O键(仅σ键)。S电负性(2.6)只比P稍大,故端基P-S键中,S→P反馈π键不明显,其键长只比桥式P-S键稍短。

6.按VSEPR模型,H2C=SF4和SF4中心S原子的价电子构型均为三角双锥体。对于H2C=SF4分子,C-Sπ键在赤道平面上,对该平面上2个S-F键成键电子对斥力大,导致键角减小。

对于SF4分子,S原子孤对电子在赤道平面,对该平面上2个S-F键斥力小于C-Sπ键,因此∠FSF键角要大些。但因孤对电子的挤压作用,使之小于120˚。

7.第二、三系列过渡金属高氧化态为特征:①自上而下,d电子逐级电离能下降;②因内层电子屏蔽,4d、5d轨道离核伸展更远,电子云密度小,互斥弱,易形成更多的键;③自上而下,金属升华能增加,需形成更多的键作补偿。

较高配位数成因:①高氧化态有利于提高配位数;②原子或离子半径大。

倾向于形成低自旋配合物的原因:①高氧化态使M-L互相作用增强;②核外空间扩展5d > 4d > 3d,使M-L作用增强,并使电子成对能5d < 4d < 3d。以上两因素均使配体引起M的d轨道能级劈裂自上而下增大,超过电子成对能,因而形成低自旋配合物。

8.(1)A为,B为(CH3)Mn(CO)5,因此,

(2)有关分子的结构式如下:

(3)由于Mn中的电子均已成对,因此Mn2(CO)10为逆磁性分子。

9.作为π电子接受体,NO > CO,所以(B)分子中,Mo-NO反馈π键较强,而Mo-CO反馈π键较弱(Mo反馈电子进入CO π*空轨道),根据虎克定律,,(B)分子中的CO伸缩振动频率较高。

免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。

我要反馈