本节需要的主题内容:
i)法拉第磁光效应(本书第3章)
iii)光纤的偏振性质(本书第3章)
iv)光探测器(本书第7章)
上一节已经讨论了一种光学装置,现在介绍光子学系统。通过该项研究就会发现,将光学与电子学知识相综合,会显示出设计方案的若干优越性。
全世界电力供应业(Electricity Supply Industry,ESI)存在的一个共同问题,就是对各类发电站生产电流的计量。生产出的电量在高压线网上分配给供应公司的用户(因为电压越高,在给定转换功率下电流就越小,因此电阻损耗就越小),必须对这种电流进行精确测量,从而确保对顾客使用的能量正确收费。同时,还要正确控制输电网,并快速显示故障条件,以采取合理的措施。
通常,是在称为变电站开关的配电接线盒处计量该电流,并且必须在几十万伏的高压母线上完成。
使用一次和二次感应线圈的普通电流互感器普遍应用于这种测量。但是,两组线圈之间需要代价很高的高压绝缘。并且,由于铁磁磁滞作用,它会出现饱和效应。这是因为存在着大的线圈自感应,还会有较低的带宽。图10.3所示为利用光子学技术测量高压电流的一种方法。
图10.3 光纤电流测量法示意图
将一段单模光纤(一种良好的绝缘体)绕着载流导线绕几匝。由半导体激光器发出的线性偏振光入射到该光纤线圈中。当光通过光纤线圈传播时,由于载流线圈中的电流作用,该光受到磁场影响。环绕电流的磁力线是圆柱形,将它围绕着导线扎成线圈时,则磁力线平行于光纤芯。因此,线偏振光传播时,便处于纵向磁场的作用之下,因而形成法拉第磁光效应。并且,偏振方向会发生偏转,偏转量正比于磁场及磁场作用的路径长度。正如本书3.10.2节强调的,这是一种由磁场感应产生的圆双折射。
偏振方向出现的总旋转正比于回路周围场的线积分,即
式中,V为费尔德(Verdet)磁光常数;N为光纤线圈的匝数;H为磁场;l为线路长度。
由基本的电磁知识知道,载流导体周围磁场的线积分恰好等于电流(安培串联电路定律)。因此,式(10.6)可以写为
ρ=NVI
式中,I为被测量的电流。
由于N和V是已知的常数,因此对ρ的测量就是测量I。这是一种非常方便的测量高压下电流的方法,理由是:
i)光纤是用一种电介质绝缘材料制成,在高压导线与(接地)指示点之间需要一定成本的绝缘。
ii)由于没有使用铁磁材料,所以没有磁滞效应。
iii)在熔凝石英材料中,磁光效应非常快(几乎是瞬时的),因此测量带宽非常大。
iv)很容易将光纤缠绕在高压导线上,因此安装非常简单。
如何实施测量ρ呢?假设,发射出的线性偏振光入射到线偏振器上,线偏振器的偏振方向平行于输入光的偏振方向(见图10.4a)。若没有磁场(ρ=0),所有的光都将通过偏振器(忽略内在衰减)。
图10.4 电流信号测量过程中渥拉斯顿(Wollaston)棱镜的作用
假设,传播光束的电场振幅是E0,所以,在没有电流时,是一个正比于E20的光强度通过。当有电流通过时,偏振使旋转一个角度l,所以只有一个场分量E0cosρ通过偏振器,因此只要测量出与E20cos2ρ成正比的光强度,原理上就可以根据该强度推导出ρ。
然而,还有一种更为方便的测量ρ的方法。
假设,不使用简单的偏振器,而是使用渥拉斯顿(Wollaston)棱镜,其偏振轴与输入的偏振方向为±45°的角度。现在,从渥拉斯顿棱镜输出的有两种光强度(见图10.4b),即
式中,K为通用常数。
分别探测两种强度(通过测量两个光敏二极管上的光功率,记住功率=强度×面积),可以很容易地设计出电子线路以实现下面功能:
运算后得
S=sin2ρ
如果2ρ比较小(<<π/2),则
S≈2ρ=2NVI
因此,在该条件下,S正比于电流I,与随时间变化的光强度(约等于E20)无关。利用这种方法测量电流有什么问题呢?首先,光纤必须缠绕在高压导线上,如果缠绕一根光纤,并是不对称缠绕(见图10.5),那么由于应力光效应,应力就会使折射率发生变化,从而引进线性双折射。已经知道,在线性双折射光纤中,只有两种线性本征模(即平行于双折射轴的那些线性偏振态)的传播不会改变形态。显然,在这种光纤中不可能保持旋转线性偏振态仍是线性偏振,将出现椭圆偏振态。这不仅取决于弯曲后的双折射,同时与沿光纤旋转的方式有关(与测量的电流有关)。
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图10.5 光纤的弯曲应变
式(10.7)表明,S的值正比于两种渥拉斯顿输出(I1,I2)之差。然而,除了由于被测电流形成圆双折射外,该差值还与偏振椭球的轴有关(即与线性弯曲双折射有关)。例如,如果偏振椭球退化成一个圆球,即使电流不是零,S仍变成零。因此,这种弯曲双折射效应将明显地影响测量。
借助本书3.12节讨论的琼斯矩阵可以方便地使这种效应量化。当线双折射量为δ时,使偏振旋转一个角度ρ(具有圆双折射2ρ)的偏振元矩阵为
因为,,则有:
线双折射的快轴和慢轴取作矩阵轴(Ox,Oy)。由于ρ与δ之间的相互作用十分微妙,所以该矩阵相当复杂。δ对偏振态的影响取决于偏振态本身。例如,对平行于其中一个轴的线性偏振态没有影响,但是,如果该偏振态旋转45°,就会有最大的影响。由于有旋转角度ρ,所以方位会连续变化。由此可以得出结论:δ的影响也连续改变。
假设,输入到光纤线圈中的线性偏振光的偏振方向与其中一个双折射轴。例如Ox轴一致,那么就可以用下列向量表示:
式中,E为电场。现在,可以将输出光的偏振态确定为
利用式(10.8)中的M(记住,Es是复数),从而使式(10.7)中的S可以写为:
这就将测量问题定量化。首先,假设由弯曲引发的线双折射δ要比电流引发的圆双折射2ρ大许多(因此也比旋转量ρ大许多),在这种情况下:
因此,由式(10.9)得
若δ>0,则S<2ρ,并且测量灵敏度会降低。实际上,这种情况要比简单地减少输出更糟糕,因为δ值与温度有关(因为温度与光应力系数有关),所以S也与温度有关。此外,振动也使δ减小(因为振动的压力会使光纤应变),因此S中将存在由于振动而感应的交流(A/C)噪声。对这些问题如何解决呢?
首先,保证弯曲直径要大(>0.5m),从而使弯曲双折射最小;其次,尽可能利用具有内在圆双折射的光纤(如石英一类的光学活性晶体)。有几种方法可以减小光纤中的圆双折射,其一是绕自身轴简单地缠绕(见本书3.10节)。在这种方法中,有:
2ρ>>δ
因此
Δ≈ρ
和
S≈sin2ρ
(实际上,此处出现的现象就是大量内在双折射造成的偏振态,非常快地沿光纤旋转,因此使线性双折射的影响完全被平均)现在,ρ为内在圆双折射(2ρ0)和电流感应的圆双折射(2ρI)之和,所以有:
S≈sin(2ρ0+2ρI)
根据本书3.10.2节的讨论知道,这两种成分的圆双折射有一个基本差别:ρ0为倒易双折射,而ρI不是倒易双折射。从而意味着,如果光沿着光纤后向反射,就会围绕导体形成一段来回传播的线圈通路,内在倒易双折射(2ρ0)将被抵消,电流感应产生的非倒易双折射(2ρI)将会加倍。因此,图10.6所示结构中若存在后向反射,就有下列关系成立:
S≈4ρI
这就有了另外一个优点,即消除了ρ0对温度的依赖性(当扭曲形变产生ρ0时,应变电光系数对温度具有一定的依赖性)。这种布局的优点是,只安装一端,非常方便(见图10.6)。
图10.6 单端光纤测量电流装置的安装示意图
可以看出,通过对偏振光学的精透理解,可以设计出一种非常满意的、没有温度和振动效应影响的装置。这样既便宜又方便地完成非常重要的测量。以此原理为基础的装置已经在电力行业应用于各种诊断和测试程序,快速和容易安装是该装置非常大的优越性。
图10.7所示为一种特别有意义的光纤测量电流的应用实例,由于不需要内在圆双折射,所以,甚至无需使光纤扭曲。
图10.7 “塔基”式光纤测电流装置
一根光纤环绕一座高压输电线路铁塔,测量当一根高压线与接地塔之间出现短路时流入地内的电流。例如,当闪电直接击中该相线而出现这类故障时,采用这种测量可以对传输到地内的电流量提供非常有价值的信息。利用任何其他方法都很难对这种电流进行测量。实际上,用常规的电流互感器进行测量是不可能的。在这种应用中,由于线圈直径非常大(约10m),所以弯曲双折射不是问题;由于故障的机械冲击沿传输塔传播到地面之前就已经完成了测量,所以振动也不是问题;在如此短的时间内温度漂移可以忽略不计,所以温度依赖性更不是问题。另外,其优点是,带宽相当大,足以保证短周期(约1μs)波形可以精确地被复制,并且能够在几分钟内安装和拆除光纤。这是一个以巨大优势将光子学(或任何其他)系统或装置的性能与具体要求相匹配的良好例子。
这是对光纤测电流装置带宽的注释:磁光效应的速度并不是限制因素,而带宽受限于光通过光纤环路所耗费的时间。显然,小于该时间段就不能完成该测量,因为在这段时间内不可能实现完整旋转。那么,一个循环或许是最优结果?事实未必如此。由式(10.6)可知,测量灵敏度未必正比于匝数。再次遇到带宽与灵敏度之间常见的问题:对上述的任何一种技术,其乘积都是一个常数。进行折中(或者“平衡”)是系统或设备设计师设计技巧的核心。
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