HCS08系列单片机拥有一个预防低电压的保护系统，在电压变更时用来保护存储器的内容和控制单片机系统状态。该系统包括一个上电复位POR（Power-On Reset）电路和一个低电压检测LVD（Low Voltage Detect）电路，并可由用户选择触发电压如高电压VLVDH或者低电压VLVDL来启用LVD电路。
低电压检测系统由系统电源管理状态和控制寄存器1（SPMSCl）及系统电源管理状态和控制寄存器2（SPMSC2）负责管理，分别参见表6-3和表6-4。当SPMSC1的LVDE为高并且触发电压通过SPMSC2的LVDV位被选择时，LVD电路被激活。如果LVDSE位没有被置位，则停止模式中不能使用LVD系统。如果LVDSE和LVDE都被置位，则单片机不能进入停止模式1和停止模式2，并且由于LVD被激活，停止模式3的功耗将会变大。
表6-3 系统电源管理状态控制寄存器1
1.系统电源管理状态控制寄存器1（SPMSC1）
●LVDF：低电压检测标志位。如果LVDE=1，这个只读状态位表示一个低电压触发事件。
●LVDACK：低电压检测确认位。该位用于确认低电压监控错误。如写“1”可清LVDF位，如读它则总是返回逻辑“0”
●LVDIE：低电压检测中断使能位。该位使能从LVDF发出的硬件中断请求。
0：硬件中断请求不可用。
1：当LVDF=1时请求一个硬件中断。
●LVDRE：低电压检测复位使能位。当LVDE=1时该位使能LVDF错误来产生一个硬件复位。
0：LVDF不会产生一个硬件复位。
1：当LVDF=1时强制MCU复位。
●LVDSE：低电压检测停止使能位。当LVDE=1时，这个可读写位决定在单片机停机模式时低电压监控功能是否可用。
0：停止模式下禁止低电压监控。
1：停止模式下允许低电压监控。
●LVDE：低电压检测使能位。该位使能低电压检测逻辑和限定该寄存器的其他位的操作。
0：LVD逻辑不可用。
1：LVD逻辑可用。
●BGBE：带隙缓存使能位。该位用来使能ADC模块某一内部通道带隙电压的内部缓存。
0：带隙缓存禁止。
1：带隙缓存使能。
2.系统电源管理状态和控制寄存器2（SPMSC2）
该寄存器被用于报告低压警告功能的状态和设置单片机停机模式行为。
表6-4 系统电源管理状态控制寄存器2
●LVWF：低电压警告标志位。该位显示低电压警告状态。(www.xing528.com)
0：低电压警告没有发生。
1：低电压警告已经发生或者正在发生。
●LVWACK：低电压警告确认位。该位表示低电压警告确认，如果低电压警告不是正在发生，那么向该位写入1可使LVWF清零。
●LVDV：低电压检测电压选择位。该位选择LVD的临界电压（VLVD）。
0：选择较低临界电压（VLVW=VLVWL）。
1：选择较高临界电压（VLVW=VLVWH）。
●LVWV：低电压警告电压选择位。该位选择LVW的临界电压（VLVW）。
0：选择较高临界电压（VLVW=VLVWL）。
1：选择较高临界电压（VLVW=VLVWH）。
●PPDF：局部低功耗标志位。该位显示单片机已退出Stop2模式。
0：没有从Stop2模式恢复。
1：从Stop2模式恢复。
●PPDACK：局部低功耗确认位。向该位写入1可清零PPDF位。
●PPDC：局部低功耗控制位。这个一次性写入PPDC位控制进入哪种低功耗模式Stop2或是Stop3。
0：Stop3模式使能。
1：Stop2模式局部低功耗使能。
3.LVD的操作
（1）上电复位操作
当单片机刚通电或者当供应电压降落到VPOR以下时，POR电路将会产生一个复位条件。随着上电过程中供电电压的升高，LVD电路将保持芯片在复位状态直到供电电压升高到大于VLVDL。伴随着上电复位，SRS的POR位和LVD位都将被置位。
（2）LVD复位操作
当LVD使能且被设置为在侦测到一个低电压条件时（即LVDRE为“1”时）产生一个复位操作。LVD复位发生后，LVD系统将会保持单片机在复位状态直到供应电压升高到高于由LVDV设定的电压。伴随着LVD复位或者上电复位，SRS寄存器的LVD位将被置位。
（3）LVD中断操作
当一个低电压状态被检测到，并且LVD电路被设置为中断操作时（LVDE=1，LVDIE=1，LVDRE=0），LVDF将会被置位且产生一个低电压检测中断。
（4）低电压警告（LVW）
LVD系统有一个低电压警告标志位用以告诉用户供应电压已经接近LVD电压，此时当前电压还在LVD电压以上。LVW没有与此相关的中断，但LVW有两个触发电压VLVWH和VLVWL可供选择。触发电压通过SPMSC2寄存器的LVWV位选择，一般不推荐设置LVW的触发电压等于LVD触发电压，建议选择使用VLVWH和VLVWL。
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