研究气体击穿过程的物理机制问题对于N-APPJ的应用具有重要的意义。流注理论认为，种子电子是放电发展的必要条件。种子电子的来源包括宇宙射线、光电离、负离子的解离吸附作用等。流注理论认为，光电离是正流注种子电子的重要来源。然而传统意义上的光电离重点关注紫外波段的高能光子的电离作用。
研究认为分子的振动激发在放电中有可能发挥着重要的作用，因为放电初始阶段，能量首先传递给电子，大部分电子的能量并不足以直接电离气体分子或者原子，往往通过碰撞将能量传递给分子振动激发态，然后发生分步电离。像N2、CO、H2及CO2等分子能够储存振动能很长时间[17～18]。
可见光对放电过程的影响主要体现在两个方面，一是对放电延时的缩短作用，二是可以减小击穿电压。近些年来，脉冲电源技术获得了很大的提高，利用脉冲电源激励的等离子体射流发展迅速，但是关于脉冲激励条件下的击穿机理的研究并不多。既然可见光可以促进直流放电的击穿，针对可见光对脉冲N-APPJ放电的影响，有几个问题值得思考：能够促进击穿过程的最有效的可见光波段是多少？可见光加在放电装置什么位置效果最显著？可见光对放电管击穿过程的影响是否与放电管的材料和尺寸有关？可见光的激励作用与气体组分以及气体压强是否有关系？
本节将介绍可见波段光对N-APPJ击穿延时的影响。等离子体产生于放电管内，可见波段光被用来照射放电石英管，通过测量放电延时探究可见光对击穿过程的影响。
下面介绍两种常见的可见光光源对放电管照射时，其对放电延迟的影响规律。不同波长的激光和氙灯被用作光源。三种激光光源的功率都是20mW，波长分别为404nm、532nm和662nm。另外，窄波段可见光使用功率为30 W的氙灯和中心波长分别为400nm、430nm、450nm、470nm、500nm、530nm、570nm、610nm和630nm，通过带宽为10nm的滤光片滤光得到。两种光源采用光谱仪测得的光谱如图2.5.1所示[19]。(www.xing528.com)
图2.5.1 两种可见光源的光谱[19]
（a）氙灯的光谱；（b）不同波长的激光的光谱
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