【摘要】:Hicks小组开发的一种早期N-APPJ是DFE射流,如图1.3.1所示[55,92]。射流由13.56 MHz的射频电源驱动。该装置需要冷却水以防止射流过热,等离子体射流的气体温度根据射频功率在50℃到300℃之间。图1.3.1无电介质射流装置示意图[55]DFE射流有几个显著特征。
Hicks小组开发的一种早期N-APPJ是DFE射流,如图1.3.1所示[55,92]。射流由13.56 MHz的射频电源驱动。它由与电源相连的高压电极和外部的地电极组成。He与少量的活性气体的混合物被送入两个电极之间的环形空间。该装置需要冷却水以防止射流过热,等离子体射流的气体温度根据射频功率在50℃到300℃之间。在没有明显电弧的情况下,稳定运行条件是:He流量大于25L/min,O2浓度最高为3.0%(体积),CF4浓度最高为4.0%(体积),射频功率在50 W至500 W之间。
图1.3.1 无电介质射流装置示意图[55](www.xing528.com)
DFE射流有几个显著特征。第一,当不满足稳定的运行条件时,不可避免地会产生电弧。第二,与下面将要讨论的DBD射流和类DBD射流相比,DFE射流输入到等离子体的功率要高得多。第三,由于功率高,该等离子体的气体温度较高,并且超出了生物医学应用可接受的范围。第四,对于由射频电源驱动的DFE射流,峰值电压仅为几百伏,因此放电间隙内的电场相对较低,其电场方向是径向的(垂直于气体流动方向)。等离子体射流区域中的电场强度甚至更低,尤其是沿着等离子体射流推进方向(气体流动方向)。第五,由于沿等离子体射流推进方向的电场强度非常低,因此这种等离子体射流的产生可能是气流驱动的,而不是电场驱动的。
另一方面,由于DFE射流可以向等离子体输送相对较高的功率并且气体温度较高,因此等离子体具有很高的活性。这种等离子体射流适用于对温度不是很敏感的材料处理应用。
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