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用C语言编程学习C51单片机

时间:2023-11-17 理论教育 版权反馈
【摘要】:ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码,每个DS18B20的64位序列号均不相同。DS18B20内部的比较器以四舍五入的量化方式确定温度寄存器的最低有效位。DS18B20测量温度时使用特有的温度测量技术。当计数门打开时,DS18B20进行计数,计数门开通时间由高温度系数振荡器决定。只有与64位ROM序列严格相符的DS18B20才能对后继的存储器操作命令作出响应。但是,仅在最近一次温度测量出现告警的情况下,DS18B20才对此命令作出响应。

用C语言编程学习C51单片机

DS18B20内部结构如图10-43所示,主要由4部分组成:64位ROM、温度敏感元件、非易失性温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码,每个DS18B20的64位序列号均不相同。64位激光ROM从高位到低位依次为8位CRC、48位序列号和8位家族代码(28H)组成。ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。非易失性温度报警触发器TH和TL可通过软件写入用户报警上下限值。配置寄存器为高速暂存存储器中的第5个字节。DS18B20在工作时按此寄存器中的分辨率将温度转换成相应精度的数值,其各位定义如图10-44所示。其中,TM为测试模式标志位,出厂时被写入0,不能改变;R0、R1为温度计分辨率设置位,其对应四种分辨率见配置寄存器与分辨率关系表。出厂时R0、R1置为缺省值:R0=1,R1=1(即12位分辨率),用户可根据需要改写配置寄存器以获得合适的分辨率,配置寄存器与分辨率的关系见表10-11。

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图10-43 DS18B20内部结构框图

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图10-44 寄存器定义

表10-11 配置寄存器与分辨率关系表

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DS18B20工作过程及时序:

DS18B20内部的低温度系数振荡器是一个振荡频率随温度变化很小的振荡器,为计数器1提供一频率稳定的计数脉冲。

高温度系数振荡器是一个振荡频率对温度很敏感的振荡器,为计数器2提供一个频率随温度变化的计数脉冲。

初始时,温度寄存器被预置成-55℃,每当计数器1从预置数开始减计数到0时,温度寄存器中寄存的温度值就增加1℃,这个过程重复进行,直到计数器2计数到0时便停止。

初始时,计数器1预置的是与-55℃相对应的一个预置值。以后计数器1每一个循环的预置数都由斜率累加器提供。为了补偿振荡器温度特性的非线性性,斜率累加器提供的预置数也随温度相应变化。计数器1的预置数也就是在给定温度处使温度寄存器寄存值增加1℃计数器所需要的计数个数。

DS18B20内部的比较器以四舍五入的量化方式确定温度寄存器的最低有效位。在计数器2停止计数后,比较器将计数器1中的计数剩余值转换为温度值后与0.25℃进行比较,若低于0.25℃,温度寄存器的最低位就置0;若高于0.25℃,最低位就置1;若高于0.75℃时,温度寄存器的最低位就进位然后置0。这样,经过比较后所得的温度寄存器的值就是最终读取的温度值了,其最后位代表0.5℃,四舍五入最大量化误差为±1/2LSB,即0.25℃。

温度寄存器中的温度值以9位数据格式表示,最高位为符号位,其余8位以进制补码形式表示温度值。测温结束时,这9位数据转存到暂存存储器的前两个字节中,符号位占用第1字节,8位温度数据占据第2字节。

DS18B20测量温度时使用特有的温度测量技术。DS18B20内部的低温度系数振荡器能产生稳定的频率信号;同样的,高温度系数振荡器则将被测温度转换成频率信号。当计数门打开时,DS18B20进行计数,计数门开通时间由高温度系数振荡器决定。芯片内部还有斜率累加器,可对频率的非线性度加以补偿。测量结果存入温度寄存器中。一般情况下的温度值应该为9位,但因符号位扩展成高8位,所以最后以16位补码形式读出。

DS18B20工作过程一般遵循以下协议:初始化——ROM操作命令——存储器操作命令——处理数据

1.初始化

单总线上的所有处理均从初始化序列开始。初始化序列包括总线主机发出一复位脉冲,接着由从器件送出存在脉冲。存在脉冲让总线控制器知道DS1820在总线上且已准备好操作。

2.ROM操作命令

一旦总线主机检测到从器件的存在,它便可以发出器件ROM操作命令之一。所有ROM操作命令均为8位长。这些命令如下:

1)Read ROM(读ROM)[33h]:此命令允许总线主机读DS18B20的8位产品系列编码,唯一的48位序列号,以及8位的CRC。此命令只能在总线上仅有一个DS18B20的情况下可以使用。如果总线上存在多于一个的从器件,那么当所有从器件企图同时发送时将发生数据冲突的现象(漏极开路会产生线与的结果)。

2)Match ROM(符合ROM)[55h]:此命令后继以64位的ROM数据序列,允许总线主机对多点总线上特定的DS18B20寻址。只有与64位ROM序列严格相符的DS18B20才能对后继的存储器操作命令作出响应。所有与64位ROM序列不符的从器件将等待复位脉冲。此命令在总线上有单个或多个器件的情况下均可使用。

3)Skip ROM(跳过ROM)[CCh]:在单点总线系统中,此命令通过允许总线主机不提供64位ROM编码而访问存储器操作来节省时间。如果在总线上存在多于一个的从器件而且在Skip ROM命令之后发出读命令,那么由于多个从器件同时发送数据,会在总线上发生数据冲突(漏极开路会产生线与的效果)。

4)Search ROM(搜索ROM)[F0h]:当系统开始工作时,总线主机可能不知道单线总线上的器件个数或者不知道其64位ROM编码。搜索ROM命令允许总线控制器用排除法识别总线上的所有从器件的64位编码。

5)Alarm Search(告警搜索)[ECh]:此命令的流程与搜索ROM命令相同。但是,仅在最近一次温度测量出现告警的情况下,DS18B20才对此命令作出响应。告警的条件定义为温度高于TH或低于TL。只要DS18B20一上电,告警条件就保持在设置状态,直到另一次温度测量显示出非告警值或者改变TH或TL的设置,使得测量值再一次位于允许的范围之内。存储在EEPROM内的触发器值用于告警。(www.xing528.com)

3.存储器操作命令

1)Write Scratchpad(写暂存存储器)[4Eh]:这个命令向DS18B20的暂存器中写入数据,开始位置在地址2。接下来写入的两个字节将被存到暂存器中的地址位置2和3。可以在任何时刻发出复位命令来中止写入。

2)Read Scratchpad(读暂存存储器)[BEh]:这个命令读取暂存器的内容。读取将从字节0开始,一直进行下去,直到第9(字节8,CRC)字节读完。如果不想读完所有字节,控制器可以在任何时间发出复位命令来中止读取。

3)Copy Scratchpad(复制暂存存储器)[48h]:这条命令把暂存器的内容复制到DS18B20的E2存储器里,即把温度报警触发字节存入非易失性存储器里。如果总线控制器在这条命令之后跟着发出读时间隙,而DS18B20又正在忙于把暂存器复制到E2存储器,DS18B20就会输出一个“0”,如果复制结束,DS18B20则输出“1”。如果使用寄生电源,总线控制器必须在这条命令发出后立即起动强上拉并最少保持10ms。

4)Convert T(温度变换)[44h]:这条命令启动一次温度转换而无需其他数据。温度转换命令被执行,而后DS18B20保持等待状态。如果总线控制器在这条命令之后跟着发出读时间隙,而DS18B20又忙于做时间转换的话,DS18B20将在总线上输出“0”,若温度转换完成,则输出“1”。如果使用寄生电源,总线控制器必须在发出这条命令后立即起动强上拉,并保持500ms。

5)Recall E2(重新调整E2)[B8h]:这条命令把存储在E2中温度触发器的值重新调至暂存存储器。这种重新调出的操作在对DS18B20上电时也自动发生,因此只要器件一上电,暂存存储器内就有了有效的数据。在这条命令发出之后,对于所发出的第一个读数据时间片,器件会输出温度转换忙的标识:“0”为忙,“1”为准备就绪。

6)Read Power Supply(读电源)[B4h]:对于在此命令发送至DS18B20之后所发出的第一读数据的时间片,器件都会给出其电源方式的信号:“0”为寄生电源供电,“1”为外部电源供电。

4.处理数据

DS18B20的高速暂存存储器由9个字节组成,其分配如图10-45所示。当温度转换命令发布后,经转换所得的温度值以2字节补码形式存放在高速暂存存储器的第0和第1个字节。单片机可通过单线接口读到该数据,读取时低位在前,高位在后。

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图10-45 字节分配

表10-12所列是DS18B20温度采集转化后得到的12位数据,存储在DS18B20的两个8bit的RAM中,二进制中的前面5位是符号位,如果测得的温度大于或等于0,这5位为0,只要将测到的数值乘以0.0625即可得到实际温度;如果温度小于0,这5位为1,测到的数值需要取反加1再乘以0.0625即可得到实际温度。

表10-12 DS18B20温度数据表

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温度转换计算方法举例:

例如当DS18B20采集到+125℃的实际温度后,输出为07D0H,则:

实际温度=07D0H×0.0625=2000×0.0625=125℃。

例如当DS18B20采集到-55℃的实际温度后,输出为FC90H,则应先将11位数据位取反加1得370H(符号位不变,也不作为计算),则:

实际温度=370H×0.0625=880×0.0625=55℃。

5.时序

主机使用时间隙(time slots)来读写DS18B20的数据位和写命令字的位。初始化时序如图10-46所示,读写时序如图10-47所示。

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图10-46 初始化时序

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