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基于固件的ARMCortexM4原理及应用

时间:2023-11-17 理论教育 版权反馈
【摘要】:VIN-VIN+,VOUT=0VIN-的信号源是一个外部输入(Cn-),其中n为模拟比较器的编号。图6-2比较单元的结构比较器是通过两个状态/控制寄存器来配置的。中断的状态和控制则需通过三个寄存器来配置。内部参考电压由单一配置寄存器ACREFCTL控制,其结构如图6-3所示。用于与外部输入电压比较的阈值电压,可使用ACREFCTL寄存器中的VREF字段来选择。表6-2内部参考电压与ACREFCTL字段值

基于固件的ARMCortexM4原理及应用

比较器比较VIN-和VIN+的输入,然后输出VOUT。

VIN-<VIN+,VOUT=1

VIN->VIN+,VOUT=0

VIN-信号源是一个外部输入(Cn-),其中n为模拟比较器的编号。除了外部的输入源(Cn+)之外,VIN+的输入源还可为C0+,或为一个内部参考电压(VIREF),如图6-2所示。

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图6-2 比较单元的结构

比较器是通过两个状态/控制寄存器(即模拟比较器控制寄存器(ACCTL)和模拟比较器状态寄存器(ACSTAT))来配置的。而内部参考电压则是通过一个控制寄存器(即模拟比较器参考电压控制寄存器(ACREFCTL))来配置的。中断的状态和控制则需通过三个寄存器(即模拟比较器中断状态寄存器(ACMIS)、模拟比较原始中断状态寄存器(ACRIS)和模拟比较器中断使能寄存器(ACINTEN))来配置。

一般情况下,比较器的输出通过ACCTL寄存器中的ISEN位在内部产生一个中断,此输出也可以用于驱动外部引脚(Cno)或产生模数转换器(ADC)触发信号。

注意:在使用模拟比较器之前,ACCTL寄存器中的ASRCP位必须置位。(www.xing528.com)

内部参考电压由单一配置寄存器ACREFCTL控制,其结构如图6-3所示。

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图6-3 比较器内部参考电压结构

可根据ACREFCTL寄存器中的RNG位,采用两种模式(低电平或高电平)来编程内部参考电压。当RNG位清零时,内部参考电压采用高电平模式;当RNG位置位时,则内部参考电压采用低电平模式。

在每种模式下,内部参考电压(VIREF)有16级预编程阈值或步长。用于与外部输入电压比较的阈值电压,可使用ACREFCTL寄存器中的VREF字段来选择。内部参考电压与ACREFCTL字段值见表6-2。

表6-2 内部参考电压与ACREFCTL字段值

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