高效掩膜式ROM解析

掩膜式ROM（Mask Programmed ROM）简称MROM或ROM。它的信息是由生产厂家根据用户要求（给定的程序和数据）对芯片图形掩膜后进行两次光刻而制成的，所以，生产第一片这样的ROM是很昂贵的，但复制同样内容的ROM就很便宜，因而掩膜式ROM适用于成批生产的定型产品，如用于存放PCDOS的BIOS、BASIC语言解释程序或系统监控程序等。掩膜式ROM中的每个存储元电路只需用一个耦合元件，一般可用二极管、MOS晶体管、双极型晶体管构成。一般MOS型的集成度高、功耗小，但速度慢，双极型的速度快，但功耗大，所以只适用于速度要求较高的系统中。

图5-11所示为一个简化的4×4位MOS型ROM，采用单译码结构，两位地址线A₀、A₁译码后可有4种状态：00、01、10、11，输出4条（字）选择线，可分别选中4个单元，每个单元有4位数据D₃～D₀输出。

图5-11所示的矩阵中，在行和列的交叉点上，有的连有MOS管，有的没有连，这是生产厂家根据用户提供的程序来决定的。有管子表示该位为“0”，没有管子表示该位为“1”。若地址线A₀A₁=00，则选中00号单元，即字线0为高电平，则与该行相连的MOS管导通，对应的位线0和位线3输出为0，而不与该行相连的位线2和位线1，因无MOS管而输出为“1”，则第一行输出D₃～D₀=0110。可见存储器的内容取决于制造工艺。(www.xing528.com)

图5-11 掩膜式4×4位ROM示意图