场效应晶体管的特点及用途

因为场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET），由多数载流子参与导电，所以又称为单极型晶体管。它是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

场效应晶体管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。它为电压控制器件，在电路应用中现已成为双极型晶体管和功率晶体管强大“竞争者”，若在只允许从信号源取较小电流的情况下，应选用场效应晶体管，而在信号电压较低，但允许从信号源取较多电流的条件下，则应选用晶体管。场效应晶体管与双极型晶体管相比，具有如下优点：

1）属于电压控制器件，通过U_GS来控制I_D；

2）其输入端电流极小，而输入电阻很大；

3）因为场效应晶体管是利用多数载流子导电，所以其温度稳定性比双极型晶体管好；

4）抗辐射能力比双极型晶体管强；

5）噪声低；

6）场效应晶体管组成的放大电路的电压放大系数比晶体管组成的放大电路的电压放大系数要小得多。

场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管两类，电路板中绝缘栅型场效应晶体管应用比较多。绝缘栅型场效应晶体管也称金属－氧化物－半导体场效晶体管（MOS-FET），其外形结构如图4-58所示，它的引脚排列通常是：左边是栅极，中间是漏极，右边是源极，其上方漏极的大引脚与下方中间的短引脚相连。栅极和源极、栅极和漏极之间均采用SiO₂作为绝缘层隔离，且按照金属－氧化物－半导体的材料结构构成。(www.xing528.com)

绝缘栅型场效应晶体管又分为N沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道耗尽型及P沟道增强型4种类型。它们在电路图上的图形符号如图4-59所示。图中，D表示漏极；S表示源极；G表示栅极。

图4-58 场效应晶体管引脚排列规律

图4-59 4种绝缘栅型场效应晶体管电路图形符号

耗尽型场效应晶体管、增强型场效应晶体管及绝缘栅型场效应晶体管的漏极和源极之间的特性如表4-3所示。在维修过程中应根据场效应晶体管这些特性来进行测量。

表4-3 各类场效应晶体管特性