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超频功能设置-获取更好的超频性能

时间:2023-11-16 理论教育 版权反馈
【摘要】:超频功能一般需要专业知识并且冒着对系统组件造成永久损坏的风险,所以在设定时最好保留选项中参数的默认值。超频功能设置选项是用来调整多种参数以获得更好的超频性能。4)Easy OverClock:简易超频功能,用于超频选择。图2-52 超频功能设置界面超频功能主要还包括CUP设定、内存设置及内存时序设置几个方面的内容。CPU设定在超频功能设置界面将滚动条移动到CPU Configuration并且按下Enter键,即会显示CPU设定界面,如图2-53所示。

超频功能设置-获取更好的超频性能

超频功能一般需要专业知识并且冒着对系统组件造成永久损坏的风险,所以在设定时最好保留选项中参数的默认值。超频失败将导致系统无法显示时,应先断电,清空CMOS,使BIOS恢复到默认值或者最初值。下面介绍的内容仅用来参考,实际操作中需要有一定的专业知识才能进行相应的设置。

超频功能设置选项是用来调整多种参数以获得更好的超频性能。所显示的设置界面如图2-52所示。

界面上所显示的设置选项说明如下。

1)CPU-NB HT Link Speed:CPU HT速度调节。可选设置:Auto、x1200~132600MHz。

2)CPU/HT Reference Clock(MHz):CPU外频/HT频率调节选项。

3)PCIE Reference Clock(MHz):PCIE频率调节选项。

4)Easy OverClock:简易超频功能,用于超频选择。

5)Onboard Lan BootRom:开启或者关闭板载的Lan Boot Rom以从网络引导。可选项:Enabled(开启)、Disabled(关闭)。

6)Cool‘n’Quiet:当AMD Cool&Quiet技术启用时将会减少机器的噪声和热量,使用此设置需要安装CNQ驱动并且更改电源使用方案为“最小电源管理模式”。可选项:Ena-bled(开启)、Disabled(关闭)。

7)Memory 1T/2T Mode:内存工作模式设定。可选项:2T Mode、1T Mode、Auto。

8)Advanced Clock Calibration:ACC高级时钟校准功能。可选项:Enabled(开启)、Disabled(关闭)。

9)CPU/DRAM Voltage Adjust:CPU/内存电压调节。可选值:Default(预设)、+0.05~0.35V。

10)NB/HT Voltage Adjust:北桥芯片/HT电压调节。可选值:Default(预设)、+0.05V、+0.10V、+0.15V。

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图2-52 超频功能设置界面

超频功能主要还包括CUP设定、内存设置及内存时序设置几个方面的内容。具体如下。

(1)CPU设定

在超频功能设置界面将滚动条移动到CPU Configuration并且按下Enter键,即会显示CPU设定界面,如图2-53所示。

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图2-53 CPU设定界面

界面上的设置选项说明如下。

1)GART Error Reporting:开启或关闭GART(Graphics Address Remapping Table图形地址映射表)错误报告功能。可选项:Enabled(开启)、Disabled(关闭)。

2)Microcode Update:用来启动或关闭微处理器更新功能。可选项:Enabled(开启)、Disabled(关闭)。

3)Secure Virtual Machine Mode:用来启动或者关闭安全虚拟机模式。可选项:Enabled(开启)、Disabled(关闭)。

4)ACPI SRAT Table可选项:Enabled(开启)、Disabled(关闭)。

(2)内存设置

内存设置界面如图2-54所示。

978-7-111-37363-6-Chapter02-60.jpg(www.xing528.com)

图2-54 内存设置界面

界面上所显示的设置选项说明如下。

1)Bank Interleaving:这里的Bank是指L-Bank,为了最大限度减少寻址冲突,提高效率,建议设置为Auto。可选项:Auto(自动)、Disabled(关闭)。

2)Enable Clock to ALL DIMMs:用来启动或关闭记录所有的内存插槽。可选项:Ena-bled(开启)、Disabled(关闭)。

3)MemCLK Tristate C3/ATLVID:用来启动或关闭MemCLK Tristate During C3 and Alt VID。可选项:Enabled(开启)、Disabled(关闭)。

4)Memory Hole Remapping(内存孔洞软件重映射):这个参数可以让软件重新映射地址高于00E0的物理内存(仅在64位操作系统中有效)。可选项:Enabled(开启)、Disa-bled(关闭)。

5)DCT Unganged Mode:内存控制器设置。建议设置为默认值。可选项:Auto、Al-ways。

6)Power Down Enable:打开或者关闭低功耗待机状态。可选项:Enabled(开启)、Disabled(关闭)。

7)Power Down Mode:低功耗待机状态设置。可选项:Channel、Chip Select。

(3)内存时序设置

内存时序设置界面如图2-55所示。

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图2-55 内存时序设置界面

界面所显示的设置选项说明如下。

1)Memory Clock Mode:内存时钟频率设定。可选项:Auto、Limit、Manual。选择Limit和Manual后,内存频率可在400~800MHz之间设置。

2)DRAM Ting Mode:内在时序基本参数设定。可选项:Auto、DCT0。建议保持默认值。若设置为DCT0/1后会有以下选项。

①CAS Latency(CL):允许选择CAS#的延迟时间。

②TRCD:指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),对应于CAS、RAS(Row Address Strobe,行地址选通脉冲)。

③TRP:行预充电时间。即内存从结束一个访问到重新开始的间隔时间。

④Trtp:预充电参数。即规定DRAM充电后所需时间。预充电参数越小则内在读写速度就越快。

⑤TRAS:行有效至行预充电时间。即指从收到一个请求后到初始化RAS真正开始接收数据的间隔时间。

⑥TRC:该项指定了行周期时间。RAS#激活到RAS#激活或者对同一内存单元自动刷新的时间间隔。

⑦TWR:该项指定了写恢复时间。

⑧TRRD:该项指定了不同内存单元的RAS到RAS的延迟。

⑨TWTR:这个参数使DDR2内存同一个Bank上最后一个成功写操作和下一个读指令之间的时钟周期缩至最短。

⑩TRFC0/1/2/3:这4个参数在内存调节选项里面控制CPU与内存槽的连接延时。

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