【摘要】：早期对多光子诱导光电导性的观察，多采用出自调Q脉冲激光器的输出光束进行。被研究的样品主要是单晶半导体材料以及一些电介质光学晶体。为叙述的简明起见，以下只给出材料的化学式，并在括号中用2p，3p，4p等标示出双、三和四光子等激发机制。后来有关多光子诱导光电导的研究，多集中于化合物半导体材料，例如Hg1-xCdxTe［55］，CdI2［56，57］，ZnSe和CdSe［58，59］，PbI2［59］，GaN［60］以及BN等［61］。
早期对多光子诱导光电导性的观察，多采用出自调Q脉冲激光器的输出光束进行。被研究的样品主要是单晶半导体材料以及一些电介质光学晶体。为叙述的简明起见，以下只给出材料的化学式，并在括号中用2p，3p，4p等标示出双、三和四光子等激发机制。被研究和报道的材料先后有：有机半导体蒽（2p）［43］，PbTe和InSb（2p）［44］，AlN（3p）［45］，ZnS和CdS（2p）［46，47］，GaAs和InP（2p）［48］以及GaP（3p）等［49］。此外，被研究的尚有一些电介质晶体内的多光子诱导非线性光电导行为，包括NaCl（5p）和Al2 O3（3P）［50］，KCl，KBr和NaBr（4～6p）［51］，晶体石英（4p）［52］；还有有机晶体CHI3（2p）等［53］。
这些早期研究的关键问题，是测量给定波长的脉冲激光辐射诱导光电流（或电荷）变化量对入射光强度的依赖关系，然后将实验结果与式（15-20）相比较，从而确定与主导多光子激发机制相对应的m数值［54］。(www.xing528.com)
后来有关多光子诱导光电导的研究，多集中于化合物半导体材料，例如Hg1-xCdxTe（2p）［55］，CdI2（2p，3p）［56，57］，ZnSe和CdSe（2p，3p）［58，59］，PbI2（2p，3p）［59］，GaN（2p）［60］以及BN（3p，4p）等［61］。
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