设计与实训：AT89系列单片机Flash编程与校验

1 AT89S5l的Flash闪速存储器的并行编程方法

AT89S51单片机内部有4KB的可快速编程的Flash存储阵列。编程方法可通过传统的EPROM编程器使用高电压（+12V）和协调的控制信号进行编程。代码是逐一字节进行编程的。编程前，按编程模式设置好地址、数据和控制信号，在地址线上加上要编程单元的地址信号。在数据线上加上要写入的数据字节，激活相应的控制信号。在端加上+12V编程电压。每对Flash存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，加上一个编程脉冲。每个字节写入周期是自身定时的，大多数约为50μs，改变编程单元的地址和写入来检测一个写周期是否结束，在一个写（P0.7）是原来写入字节最高位的反码。可进入下一个字节的写周期，写周期开

字节编程的进度可通过RDY/BSY输被拉低，表示正在编程状态，编程完成

程序校验，如果加密位LB1\LB2没据，各加密位也可通过直接回读进行校

芯片擦除操作时在并行编程模式，低电平脉冲宽度即可完成擦除操作。

2 AT89S5l的Flash闪速存储器的

将RST接至V_CC，程序代码存储阵输入和MISO输出线，将RST拉高后，在片擦除则将存储代码阵列全写为FFH。晶体振荡器。最高的串行时钟（SCK）为2MHz。(www.xing528.com)

上电顺序，将电源加在V_CC和GND程时钟接至SCK（P1.7），此频率需小于式。写周期是自身定时的，一般不大于

任意代码单元均可由MISO（P1.6）RST置为L以结束操作。断电顺序，假

数据检验也可在串行模式下进行，个字节数据的最高位将为最后写入字节

在串行编程模式，芯片擦除操作是约为500ms。擦除期间，用串行方式读任

推出的AT89CXX系列兼容C51的单内核结合起来，仍采用C51的总体结构费用，并能使单片机作多次重复使用。8以重新编程，直到正确为止。因此在系了系统的开发周期。同时，在系统工作影响信息的保存。