嵌入式技术及应用：ADS1.2平台工程建立及配置

1.建立工程

运行ADS1.2软件，在软件的主界面中执行菜单命令“File”→“New”，在弹出的“New”对话框中选择“Project”选项卡。“Project”选项卡下共有7个选项，选择“ARM Executable Image”（ARM可执行镜像）。在Project Name编辑框中定义工程名称，这里把工程名定义为IO_exp。在Location编辑框中确定工程所存储的位置，这里将工程存储在F：\ADS_exp\IO_exp目录下，最后按下“确定”按钮完成工程建立，“工程建立”对话框如图2-10所示。工程建立后的平台界面如图2-11所示。

注意：由于ADS1.2平台目前还没有汉化版，且该平台对中文支持非常不好，所以建议读者在为工程命名和设置工程存储路径时要用英文字母，不要用中文字符。

图2-10 “工程建立”对话框

图2-11 工程建立后的平台界面

2.工程配置

工程建立完成后需要对工程及平台环境进行相应的配置，配置后才能正常地编译下载和调试程序。

在图2-12中选择“Debug”选项。

图2-12 选择“Debug”选项

单击“Debug Settings”按钮配置Debug如图2-13所示，单击“Debug Settin gs”按钮对Debug进行配置。

图2-13 单击“Debug Settings”按钮配置Debug

单击“Debug Settings”按钮后弹出图2-14所示的“Debug Settings”对话框。在对话框的左边Target Settings Pa nels中单击“Target Settings”选项，此时对话框右边出现“TargetSettings”界面。在该界面中单击“Post-linker”对应的下拉菜单，选择ARM formELF选项，选择后单击“Apply”按钮。

图2-14 “Debug Settings”对话框(www.xing528.com)

在Target Settings Pa nels中单击“ARM Assembler”选项，此时对话框右边出现ARM As_- semble r界面。在该界面中选择“Target”选项卡，在该选项卡下的Architecture o r Processor下拉菜单中选择“ARM920T”，单击“Apply”按钮完成配置，“ARM Assembler”选项下的配置如图2-15所示。

图2-15 “ARM Assembler”选项下的配置

在Target Settings Pa nels中单击“ARM Linker”选项，此时对话框右边出现“ARM Lin_- ker”界面。在该界面中选择“Outp ut”选项卡，在RO Base编辑框中输入0x30000000，此数值为SDRAM（内存）中程序代码存放的起始地址。单击“Apply”按钮完成配置，“ARM Linker”选项“Output”选项卡下的配置如图2-16所示。

图2-16 “ARM Linker”选项“Output”选项卡下的配置

在ARM Linker界面中的“Optio ns”选项卡下，在Image entry point中填写0x30000000，此地址为镜像的入口地址。单击“Apply”按钮完成配置，“ARM Linker”选项“Optio ns”选项卡下的配置如图2-17所示。

在ARM Linker界面中的Layout选项卡下，在Obje ct/Symbol编辑框中填写2410init.o，在Section编辑框中填写Init，单击“Apply”按钮完成配置，“ARM Linker”选项“Layout”选项卡下的配置如图2-18所示。整个工程项目的入口程序是2410init.s，所以其目标文件名就为2410init.o。Sectio n为程序入口的起始段标号，它的作用是通知编译器整个项目的开始运行是从该段开始的。

在Target Settings Pa nels中单击“ARM fromELF”选项，此时对话框右边出现ARM fromELF界面。在该界面Output file name编辑框中填写test.bin，单击“Apply”按钮完成配置，ARM fromELF界面下的配置如图2-19所示。

图2-17 “ARM Linker”选项“Options”选项卡下的配置

图2-18 “ARM Linker”选项“Layout”选项卡下的配置

图2-19 ARM fromELF界面下的配置

至此，工程配置完毕，单击“OK”按钮返回平台主界面。从工程配置可以看出，程序是下载到核心板的SDRAM中去执行（核心板一片SDRAM的起始地址是0x30000000），也就是说一旦实验系统掉电，SDRAM中的程序就会丢失，必须重新下载程序才能再次执行。在SDRAM中执行和调试程序的好处是，SDRAM的读/写速度快，擦/写次数高，可以反复修改程序，反复下载调试。相对于SDRAM，NAND Flash的擦/写速度较慢，而且擦/写次数也是很有限的。