【摘要】:半导体材料表面或涂层的深度剖析也是GD-MS的一个重要应用领域。半导体材料中低含量杂质元素及涂层材料中组分的深度分布对其电学性质具有较大的影响。图5.8 rf-GD-MS对100μm厚空心滤膜PVDF中特征离子的深度剖析[31]如图5.9所示,利用GD-MS分析SiC衬底上生长的两个不同Si层的微量元素深度分布。图5.10 多晶硅中杂质元素B、Fe、Cu的深度分布曲线[32]图5.11 多晶硅中杂质元素B、Fe、Cu的深度分布曲线[32]
半导体材料表面或涂层的深度剖析也是GD-MS的一个重要应用领域。半导体材料中低含量杂质元素及涂层材料中组分的深度分布对其电学性质具有较大的影响。
图5.8 rf-GD-MS对100μm厚空心滤膜PVDF中特征离子的深度剖析[31]
如图5.9所示,利用GD-MS分析SiC衬底上生长的两个不同Si层的微量元素深度分布。实验结果表明在顶层(深度0~26μm)显示出低硼掺杂水平,底层(深度26~58μm)显示出高硼掺杂水平。深度分布曲线还表明了顶层中的常规镍污染以及在层界面特别是Si C衬底界面处的多种杂质污染[3]。
图5.9 SiC衬底上生长的两个不同Si层中微量元素的深度分布[3](www.xing528.com)
Di Sabatino[32]等利用高分辨GD-MS对多晶硅中的杂质元素B、Fe、Cu进行了深度剖析,与二次离子质谱(SIMS)的结果接近。采集时间约为30s,深度分辨率约为0.5μm,结果表明B的浓度与掺杂浓度一致,而Fe和Cu则集中在表面,这表明快速扩散的过渡金属元素具有不同的杂质分布机制,如图5.10、图5.11所示。
图5.10 多晶硅(掺杂Fe)中杂质元素B、Fe、Cu的深度分布曲线[32]
图5.11 多晶硅(掺杂Cu)中杂质元素B、Fe、Cu的深度分布曲线[32]
免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。