【摘要】：Alberts等［7］在rf-GD-OES中以及Heintz等使用rf-GD-AES进行样品测试均发现仪器信号强度与样品厚度有关，样品厚度对样品表面的磁感应强度、样品电容大小有直接影响。Wei Juan等运用rf-GD-MS分析非导体材料时，选用30W射频源功率、5．3m Pa放电气压作为实验条件，分别测定了不同厚度的Y2O3、BSO、BTN样品中Y、Bi、Ba等元素的信号强度值。图3．1 rf-GD-MS分析中，不同种类样品基体信号强度随样品厚度的变化情况
Alberts等［7］在rf-GD-OES中以及Heintz等使用rf-GD-AES进行样品测试均发现仪器信号强度与样品厚度有关，样品厚度对样品表面的磁感应强度、样品电容大小有直接影响。Wei Juan等运用rf-GD-MS分析非导体材料时，选用30W射频源功率、5．3m Pa放电气压作为实验条件，分别测定了不同厚度（1mm、1．5mm、2mm、2．5mm）的Y2O3、BSO、BTN样品中Y、Bi、Ba等元素的信号强度值（图3．1）。实验结果表明，随着样品厚度的增加，样品中元素的信号强度不断减弱，而且信号强度I与样品表面距离磁铁表面的距离r近似成以下关系：I∝r－2。信号强度随厚度的减小，主要原因在于：一方面是由于随着厚度的增加，磁铁距离样品表面越远，样品表面的磁感应强度越弱；另一方面，由于非导体样品在整个放电电路中起到电容器的作用（电容器具有通交流隔直流的特点，射频源刚好是高频交流电，可以通过非导体样品实现放电电路导通的效果），样品的电容与其厚度有关，随着样品厚度的增加，样品的电容越小［7］。根据rf-GD-MS电路特点，样品电容越小，电压传输效率越低，实际参与放电的有效输出功率降低，射频源功率降低将会导致放电池中离子的动能减小，使得大量离子无法将样品原子溅射出来，溅射率减小，信号强度也将因此减弱。
图3．1 rf-GD-MS分析中，不同种类样品基体信号强度随样品厚度的变化情况(www.xing528.com)
（射频功率为30W，放电气压为5．3mPa）
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