【摘要】：直流辉光放电离子源和射频辉光放电离子源中，原子的离子化机理是类似的。与电子碰撞和彭宁电离相比，其他电离方式对离子化的贡献小得多。表1．1 氩气辉光放电中的电离方式电离方式还受到放电条件的影响，如同轴型辉光放电离子源在50～250Pa、1～1．5kV和0～10mA条件下，彭宁电离就可能是主要电离方式。
直流辉光放电离子源和射频辉光放电离子源中，原子的离子化机理是类似的。当从阴极溅射出来的原子通过扩散进入负辉区后，主要通过两种方式电离：与电子碰撞和与亚稳态Ar原子（Ar*）碰撞。辉光放电的电子密度高，其能量分布也很宽。当电子与从阴极溅射出来的原子M碰撞时，会使其电离：
除惰性气体、H、N、O和卤素（F、Cl、Br）原子外，其他多数元素原子的第一电离能都小于Ar原子的两个亚稳态能级（11．55eV和11．72eV），当Ar*和从阴极溅射出来的原子碰撞时，较容易将其电离，形成正离子：
这种电离也称为彭宁电离（Penning ionization）。辉光放电中的电离方式见表1．1。与电子碰撞和彭宁电离相比，其他电离方式对离子化的贡献小得多。
表1．1 氩气辉光放电中的电离方式(www.xing528.com)
电离方式还受到放电条件（如电流、电压、气压和放电装置的几何构造等）的影响，如同轴型辉光放电离子源在50～250Pa、1～1．5kV和0～10mA条件下，彭宁电离就可能是主要电离方式。
Marcus［18］用Langmuir探针技术测量了同一辉光放电装置分别在直流和射频模式工作时，等离子体中带电粒子的分布情况（表1．2）。从测量的结果看，在直流模式下，等离子体中电子和离子的密度略高于射频模式。
表1．2 同一辉光放电装置分别在直流（dc）和射频（rf）模式工作时的情况比较
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