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NB-IoT物联网技术解析:功率谱密度提升

时间:2023-11-05 理论教育 版权反馈
【摘要】:表7.1 GSM、LTE FDD与NB-IoT下行功率谱密度比较①假设NB-IoT NRS发射功率比LTE CRS发射功率高6dB。上行方向,见表7.2,NB-IoT终端最大发射功率较GSM低10dB,但由于NB-IoT最小调度带宽为3.75kHz或15kHz,因此NB-IoT上行最大功率谱密度较GSM高1.2~7.3dB。表7.2 GSM、LTE FDD与NB-IoT上行功率谱密度比较

NB-IoT物联网技术解析:功率谱密度提升

NB-IoT独立部署模式下,下行发射功率可独立配置,在典型的功率配置下(见表7.1),当NB-IoT基站总发射功率为20W/180kHz(即43dBm/180kHz),GSM基站总发射功率为20W/200kHz(即43dBm/200kHz),LTE基站总发射功率为40W/10MHz(即46dBm/10MHz)时,NB-IoT下行功率谱密度比GSM高0.45dB,比LTE功率谱密度高14dB左右。NB-IoT采用In-band及Guard band部署时,因与LTE共享基站功率,功率谱密度下降,可以通过Power Boosting提升发射功率,此时,NB-IoT的下行功率谱密度比LTE高约6dB,但仍比GSM功率谱密度低约7.5dB。

7.1 GSM、LTE FDD与NB-IoT下行功率谱密度比较

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①假设NB-IoT NRS发射功率比LTE CRS发射功率高6dB。

②LTE FDD系统总带宽为10MHz,但实际工作有效带宽为9MHz,有效带宽两边各有500kHz保护带宽。(www.xing528.com)

上行方向,见表7.2,NB-IoT终端最大发射功率较GSM低10dB,但由于NB-IoT最小调度带宽为3.75kHz或15kHz,因此NB-IoT上行最大功率谱密度较GSM高1.2~7.3dB。

7.2 GSM、LTE FDD与NB-IoT上行功率谱密度比较

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