半导体冷却器又称热电冷却器,其优点是外形尺寸小,使用寿命长,工作可靠,维护简便,控制灵活方便,且容易实现较低的制冷温度。其缺点是制冷效率低,成本高。
半导体冷却器结构示意参见图2.11。半导体制冷的原理是当一块N型半导体(电子型)和一块P型半导体(空穴型)用导体连接并通以电流时,正电流进入N型半导体,多数载流子即电子在接头处发生复合。复合前的动能和势能变成接头处晶格的热振动能,于是接头处温度上升。当正电流进入P型半导体时,须挣脱N型半导体晶格的束缚,即要从外界获取足够能力才能产生电子-空穴对。于是接头处发生吸热现象,电流越大,接头处温差越大。N型和P型半导体之间的导流片采用紫铜板。为使制冷端和样品、发热端和散热片之间既保持良好接触,又保持电绝缘性,两者之间的电绝缘层采用镀银陶瓷板、薄云母板、铝或铜的氧化物层。调节电流大小即可控制制冷温度。
半导体冷却器的除湿装置是将一个撞击器(又称射流热交换器)装在吸热块中,吸热块与珀尔帖元件的冷端连接,珀尔帖元件的热端由一组散热片散热或用风扇将热量驱散。在这种撞击器中,烟气从中心管中流出,中心管被一圈真空护套管所环绕。烟气到达撞击器底部之前,湿度保持在露点以上(真空护套管起绝热作用),在撞击器底部被迅速冷却。水蒸气在撞击器底部冷凝析出并被排除。气体折转向上流动,在到达出口之前被撞击器冷壁进一步冷却。半导体冷却装置除湿过程如图2.12所示。这种设计的独特之处在于,气体在到达上部的出口之前,被置于护套管之外的中心管部分再度加热。这种冷却器的制冷效率取决于撞击器的表面积和长度、气体的流速、结构材料、环境空气温度和冷却面温度。半导体冷却器通常设定制冷温度在3~5℃。
图2.11 半导体冷却器结构示意图
图2.12 半导体冷却装置除湿示意图
图2.13是南京埃森公司半导体冷凝器的外观图。
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图2.13 南京埃森公司生产的半导体冷凝器外观图
南京埃森公司的CEMS半导冷凝器EPC BM250-2的主要特点和技术参数如下:
•冷凝器入口样气露点:≤80℃。
•冷凝器出口样气露点:≤5℃(25℃环境温度)。
•工作环境温度:2~45℃。
•双级冷凝,具有两只热交换管。
•供电电源:220 VAC/50 Hz。
•高温报警功能:≥8℃时报警。
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