STC15W4K32S4系列高性能8051单片机

1.ISP/IAP操作时工作电压要求

对于5V单片机，当V_CC低于检测门槛电压时，禁止ISP/IAP操作，即禁止对E²PROM的各种操作。此时，单片机对相应的ISP/IAP指令不响应，但会对ISP/IAP寄存器进行操作，由于此时工作电压低于可靠的门槛电压，单片机内部此时禁止执行ISP/IAP操作，即对E²PROM的擦除、编程和读命令均无效。对于3V单片机，在V_CC低于检测门槛电压时，也同样禁止ISP/IAP操作。

如果电源上电缓慢，可能会由于程序已经开始运行，而此时电源还没达到操作E²PROM的最小电压，导致执行相应的E²PROM指令无效，故用户最好选择较高的复位门槛电压。

如果用户需要比较宽的工作电压范围，而选择了低复位门槛电压，则在进行E²PROM操作前，应先检测低电压标志LVDF：若LVDF=1，则说明电压曾经低于门槛电压，软件将其清0，加几条空操作NOP指令后再读取LVDF位，若此时为LVDF=0，说明工作电压高于有效的门槛电压，则此时可以进行E²PROM操作。若此时LVDF仍为1，则软件将其再清0，需继续检测该位，直到LVDF=0才能操作E²PROM。PCON格式如下：

PCON不可位寻址，不能直接用LVDF进行判断，可以先将PCON读到A再操作判断。例如：(www.xing528.com)

2.DataFlash应用技巧

同一次修改的数据放在同一扇区内，不是同一次修改的数据放在不同的扇区，这样就不需要读出保护。如果在一个扇区内存放了一批数据，一次只需要修改其中一个字节或一小部分字节时，则不需要修改的字节数据，必须先读出存放在STC单片机的内部RAM中，然后擦除整个扇区，再把保存在内部RAM中的数据按字节逐个写回该扇区内。因此，在扇区中使用的字节数越少越方便。

如果一个扇区中只用了1个字节，则Data Flash为真正的E²PROM。STC单片机的Data Flash比外部的E²PROM操作要快很多，读1个字节只需2个时钟，编程1个字节用时55_μs，擦除1个扇区用时21ms。