1.影响化学位移的因素
表5-17 不同杂化碳原子的化学位移
(2)电子短缺 当碳原子失去电子时,产生强烈的去屏蔽效应,δC值移向低场。如正碳离子的δC值在300ppm左右,如有、芳环取代,电子有转移,则δC值可移向高场。
(3)孤电子对 化合物结构变化后,如有未成键孤对电子,则该碳原子的δC值向低场移动约50ppm。例如
(4)亲电基团及密集性 亲电基团的诱导效应使13C去屏蔽。基团电负性越强,去屏蔽效应越大。例如卤素的去屏蔽效应大小顺序为δC-F>δCCl>δCBr>δC-I。屏蔽效应还与亲电基团的位置有关,α效应很大,β效应较小,效应则与α、β效应符号相反,γ和δ效应很小。
(5)构型的影响 构型不同时,δC值也不相同。如烯烃顺反异构体中,烯碳的δC值相差1~2ppm,顺式在高场。与烯碳相连的饱和碳的δC值相差更多,为3~5ppm,顺式也在较高场。N,N-二烷基酰胺、肟等异构体,δC值也不相同。
环己烷的δC值为26.6ppm,若环上有取代基,取代基处于直立(ax)或平伏(eq)对各位置碳的δC值影响是不同的(表5-18)。
表5-18 环己烷取代基对δC(ppm)值的影响
(6)介质和溶剂的影响 不同的溶剂和介质可以使δC值改变几至十几ppm。在CHCl3、CCl4、环己烷等非极性溶剂中,δC在较高场;而在极性溶剂中,如丙酮、吡啶等中,δC在较低场。(www.xing528.com)
(7)温度的影响 温度变化使δC有几ppm变化。温度高了,动态过程加快,影响平衡。
(8)顺场物质的影响 顺磁物质对NMR的谱线、线宽有强烈的影响,1H-NMR的位移试剂也可作为13C-NMR的位移试剂。
(9)电场效应 电场效应是带电基团引起的屏蔽作用,在下列过程中,CH3的δC值向高场移动2~3ppm。
(10)共轭效应 当杂原子X=N、O、F处在被观察碳的γ位置,并且为对位交叉时,由于杂原子的影响,所观察的碳向高场移动2~6ppm。
(11)中介效应 在芳香族和其它不饱和系统中,13C化学位移的变化可以用共振结构的贡献(即中介效应)来解释。例如,当苯环被给电子基团—NH2取代后,它将离域其孤电子对苯环π电子系统,增加邻位和对位碳的电荷密度,屏蔽增加。而苯环被吸电子基团—CN取代后,则它将离域苯环的π电子,减少邻位和对位的电荷密度,屏蔽减小。
(12)邻位各向异性效应 磁各向异性的基团对核屏蔽的影响可造成一定的差异,这种差异一般不算大。
(13)重原子效应与同位素效应 大多数电负性取代基的屏蔽是诱导效应,但对于重卤素来说,还存在“重原子”效应。随着原子序数的增加,抗磁屏蔽增加。对于同一种原子以较重的同位素取代,可使离取代位置一个或两个键的碳原子向高场移动1~2ppm。
2.13C的化学位移值
经过许多碳谱研究工作者大量的实验研究,人们对开链烷烃、烯烃及取代烯烃、芳烃及取代芳烃、以及羰基碳等各类化合物中13C化学位移,总结出了一些经验计算公式,可以预测或验证分子的骨架结构,其化学位移大致范围,如图5-22所示。
图5-2313C化学位移范围示意图
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