【摘要】：场效应晶体管属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应晶体管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应晶体管因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应晶体管则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。若按导电方式来划分，场效应晶体管又可分成耗尽型与增强型。
场效应晶体管（FET）属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应晶体管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应晶体管（JFET）因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应晶体管（JGFET）则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。目前在JGFET中，应用最为广泛的是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET），简称MOS管；此外还有PMOSFET、NMOSFET和VMOSFET，以及最近刚问世的πMOSFET等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应晶体管又可分成耗尽型与增强型。JFET均为耗尽型；JGFET既有耗尽型的，也有增强型的。
MOSFET由于输入阻抗高（包括MOS集成电路），极易被静电击穿，使用时应注意以下事项：
1）MOSFET出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装。
2）取出的MOSFET不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。(www.xing528.com)
3）焊接用的电烙铁必须良好接地。
4）在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，待MOSFET焊接完成后再分开。
5）MOSFET各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
6）电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
7）MOSFET的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
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