延迟时间是内存的一个重要指标，一般存储在内存条的SPD中，由“A-B-C-D”这样的结构组成，一般分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”4个延迟时间。这4个参数的具体含义如下。
（1）CL（CAS Latency）和tRCD（RAS-to-CAS Delay）
这里CAS即为行地址控制器，RAS即为列地址控制器。内存的数据单元是以矩阵（Ma-trix）方式做排列，由行与列交错而成，而每一个交叉点即代表一个内存位，数据便存储在这个内存位上。在执行读/写操作时，首先内存控制器先送出单元的列地址，作为模块逻辑寻址用，在经过一段时间，列地址会被送去暂存区。接着，控制器会再送出行地址控制，以传送行地址信号，一直到选择单元的内容送至内存芯片的输出寄存器（Output Register）上，再进行下一次动作。所以RAS-to-CAS Delay（列地址控制器至行地址控制器延迟）指的是列地址暂存后，到行地址执行的这段时间。即为了要读/写数据，内存控制芯片会先传输列的地址，接下来RAS信号就会被激活。然而，在存取行的数据前，还需要几个执行周期才行，这就是所谓的RAS-to-CAS延迟时间。而CAS Latency（行地址控制器延迟/CL）指的是行地址送出信号的时间，也就是说，CAS延迟时间就是内存用于取得正确的列地址所需要的时间。所以二者的时间越短，内存的执行效率就越快。而如果存储的数据刚好相临，只需变成行地址信号即可，因为内存控制器已经知道列地址，不需再重新寻址一次。所以行地址控制器延迟（CAS Latency，CL）在内存的处理性能中就扮演着相当重要的角色，也是一般内存上最常标示的指标。
CL在BIOS中的选项中很重要，内存条铭牌上一般都有推荐参数。较低的CAS周期能减少内存的读写周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。
就像DDR 2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR 3的CL周期也将比DDR 2有所提高。DDR 2的CL范围一般为2～5，而DDR 3则为5～11，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR 2时AL的范围是0～4，而DDR 3时AL有3种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR 3还新增加了一个时序参数———写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
CL和延迟值是两个完全不同的概念，CL是指时钟周期，如CL=5，表示CL值为5个周期。而真正意义上的延迟值，是指延迟的绝对时间，单位是ns，频率越高，自然一个周期所用的绝对时间也越短。很多人以为DDR 3内存的延迟大大地增加了，但实际上DDR 3内存的绝对延迟值相比DDR 2却降低了。
要计算整个内存的延迟值，还需要把内存颗粒运行频率计算在内。如果DDR 3-1066、DDR 3-1333及DDR 3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运行频率计算在内，则其延迟值应为13.125 ns（7×1000/533.33）、12.0 ns及11.25 ns，相比DDR 2改善约25%。因此把CAS数值当成内存的延迟值是不正确的。(www.xing528.com)
tRCD（RAS-to-CAS Delay）表示从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从DDR-RAM行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，可选的设置为：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7，越大越慢。降低此延时，可以提高系统性能。但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。
（2）tRP（RAS Precharge Time）
tRP（RAS Precharge Time）即内存行地址控制器预充电时间，从1～7可调，tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。
（3）tRAS（RAS Active Time）
tRAS（RAS Active Time），内存行有效至预充电的最短周期，可选的设置为：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。调整这个参数需要结合具体情况而定，一般最好设为5～10。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并非越大或越小就最好。
CL-TRP-TRCD-TRAS一般在内存条的封条上有，或者进入BIOS可以看到。但BIOS中CL不一定是内存物理的真实值，BIOS中取的是多通道内存中最慢的CL值。
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