电致发光：QDLED发光机制及性能分析

如图14.9所示为QD的电致发光，其中QD层被印制在1in×1in面积基板上。使用圆形阴极（0.14cm²），它限定器件的有源区（见图14.9的插图）。由于QD在600nm处有受激发射峰，而更宽的发射范围450～470nm为聚-TPD和TPBi之间形成的聚-TPD（约为410nm）和激基复合物的混合贡献。激基复合物发射是两种有机材料之间指向密切接触的指示到针孔在印制QD层中的存在。最大EQE为0.19%，偏置电压为14.2V时，如图14.10所示，有超过87%的发射量从QD发起。最大正向光输出亮度为381cd/m²，此时电压为15.9V。为使喷墨打印过程增值，制造和测试了相似的有旋涂层量子点的器件。在这种情况下，QDLED显示出最大的EQE为0.15%，施加的偏置电压为20.7V，偏置电压为18.7V时最大亮度为244cd/m²。

图14.9 QDLED的EL显示来自有机层（400～500nm）的发射和QD发射（600nm附近）。 在这些发射中，87.7%来自于QD；插图显示了拥有一个活跃的0.14cm²面积的QDLED的照片[32]

图14.10 亮度与偏置电压。最大亮度是381cd/m²，偏置电压为15.9V。 插图显示EQE与偏置电压[32]

下面的例子演示了第一次尝试使用喷墨打印单色QD溶液在具有QVGA像素化基材表面[（640×480）像素]。各个像素包括一个具有160μm×160μm的L形的光致抗蚀剂组（见图14.11），这是在光刻图案化的ITO/玻璃上。QD溶液的喷墨打印被控制在该像素之间的空间中，使得墨水仅在像素边界被分配。为了获得像素的表面积最好覆盖每个像素，对喷出墨滴的数量进行了优化。阴极覆盖近243个像素，从而导致它们在同时操作上施加偏置电压（见图14.12）。获得各种设备每个像素的液滴数是变化的，这使得能够优化发射光谱的特性（见图14.13）。从图中可以很清楚地看到，每个像素15滴的计数导致了在EL光谱QD发射的主导地位，表示接近印制膜的完全覆盖。QD在这种情况下所计算出的厚度大约为9nm，相当于单层QD覆盖。

图14.11 用于这项工作的几何图形的像素。没有绘出比例 （L形规模是160μm×160μm）(www.xing528.com)

图14.12 直流驱动的QDLED的照片，在共阴极条件下拥有大约243像素[32]

图14.13还示出了亮度相对于QDLED的偏置电压具有每像素10滴和15滴。在这种情况下，5～6数值之间和10.6V可以得到1cd/m²的亮度。最大亮度（150cd/m²）是可见，在约12V（每像素10滴）和18V（每像素15滴）时。CIE这样的装置的坐标分别为（0.424；0.294）和（0.587；0.328）。

图14.13 激态络合物的发射可以被控制

a）通过增加每像素的液滴数量 b）膜厚度增加了开启电压的变化