尽管关于首次QD在Ⅱ-Ⅵ族半导体的限制性在1960年就被报道了[7，8]，但是直到30年后关于混合光电（EL）QDLED的报道才被出版。Colvin等人[5]浸渍的ITO/对-苯基亚乙烯（PPV），用己烷二硫醇功能化，成为量子点和甲苯的分散体。用镁作为阴极，器件发光亮度为100cd/m，具有0.001%～0.01%的外部量子效率（EQE）。Kumar等人[9]使用了类似的方法，但与硫化镉（CdS）量子点旋转涂布到p-PPV膜，然后用铝包覆作为阴极。通过PPV较强的散射作用，这个设备中的QD层主要起到了量子传输的作用。亮度达到了150cd/m2，EQE约为1%。
一个非常显著的QDLED的研究是在2002年，那时Coe等人报道了能量效率25倍的增长。新的方法是将QD嵌入电子传输层（ETL）和空穴传输层（HTL）中。为了达到这种效果，QD被分散在N，N-双（3-甲基苯基）-（1，1-联苯）-4，4-二胺（TPD）溶液中，旋转包覆。相分离的旋涂膜驱使量子点到TPD层的顶部，形成单层[10]。在这些装置中，三（8-羟基喹啉）铝（Alq3）作为一个ETL。之后，使用有机HTL和ETL夹持量子点层的这样一种方法已经被使用了许多年。Coe等人报告提高了效率的0.52%。通过在量子点改进形成激子进行解释，主要是由于HTL-ETL激子和直充注射福斯特能量转移。同一研究小组后来优化QD膜的质量，造成EQE的倍增[11]。到2005年，约2%的EQE和亮度接近7000cd/m2被报道[12]。
旋涂法仍然是沉淀QD层的最受欢迎的方法，由于其方便、简单和方便可行性等特性。然而沉淀QD中间层，在下层中没有非溶物质出现是非常重要的。对于这一方面，Chaudhary等人[13]在设备的制造过程中使用了非溶性的溶剂电极，在这种情况下，HTL和ETL是分散在纳米溶剂中的聚合物，而QD分散在极性水溶液中。EQE为0.22%、亮度为500cd/m2被报道。Zhao等人介绍了一种更强劲、更可行的方法用热交联性聚TPD作为HTL，从而使其不溶性在它上面的量子点溶液的应用达到顶峰。这种材料制造的设备性能为1%的EQE，亮度为1000cd/m2。更深度的热处理对设备能够使得EQE加倍，亮度达到6000cd/m2[14，15]。另外提高QD的合成和加工工序也能提高QDLED的性质[16，17]。在写本书时，一项最新的报道暗示QDLED可能的最大的亮度为100000cd/m2[18]。其他的QD沉淀方法如喷雾包覆[19]和沾点包覆[20]涂层也被试验证实。然而这些方法的缺点是对于QD模式无法进行选择和控制。
旋涂的彩色图案的内在缺陷使得它在显示器制造中不切实际，此外，QD的成本相对较高、在旋转中96%以上的溶液损失使得非常有必要搜索可替代路线的沉积多色图案化和消耗最小量的QD材料。(www.xing528.com)
微冲压可用于高清晰度图案化，在这种方法中，典型地，聚二甲基硅氧烷（PDMS）被沉积在成型掩膜而固化后释放，这就形成了类似原膜形状的印膜。该印膜可以被用来将薄层QD转移到基板上。事实上，这种方法由Bulovic等人和Gigli等人[21-26]使用，他们报道说RGB单色和白色QDLED能够具有良好的性能。然而，一个严重的缺陷，即此方法是利用旋涂在转移基板之前将QD层沉淀在印膜上的。
也许以准确地放置不同颜色QD在预定的地方上基板最有吸引力的解决方案是喷墨打印。最近几年，在材料的研究和装置制造的各种领域中喷墨打印的使用不断增加[27，28]。利用喷墨打印方法的一些工程包括DOD修改的单片电阻率导电聚合物、单色和全色聚合物、LED[29，30]和很少被提起的生物材料[31]的应用。Haverinen等人[32，33]报道了关于DC EL喷墨打印QD的第一个示范。点式喷墨打印的AC驱动混合QDLED由Wood等人[34]报道，这份报告的重点是提出了一个简单的讨论关于第一次尝试制造高密度、像素化（1/4视频图形阵列（QVGA）格式）的单色和RGB QDLED，其中喷墨打印用来沉积发光层QD。为了达到所期望的精度和印制质量，下面展现了必须要考虑的一些因素。
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