【摘要】:图1-7 半导体材料的导电特征电子工程师们对上述电路和半导体材料做进一步改造,获得的二极管电路特征,反向接近不导通,正向接近全部导通。据此,可以用二极管构造出逻辑运算单元。图1-8左侧是一个“与”门电路。图1-9 逻辑“或”运算的电路“非”门的构造要复杂一些,需要用开关型的三极管构造,如图1-10所示。同理,当VA为高电压时,与地之间的电流迫使三极管导通,VF也成为低电压。图1-10 逻辑“非”运算的电路
二极管是一种单向导通的电路,其导电特征如图1-7所示,图1-7(a)和(b)分别表达对二极管的正向和反向导电的特征测试。图1-7(c)的B 和B′曲线是半导体硅和锗的导电特征。正向通电时,基本呈现正常的电阻特征,而反向通电时,无论电压如何增加,能通过的电流都很小。
图1-7 半导体材料的导电特征
电子工程师们对上述电路和半导体材料做进一步改造,获得的二极管电路特征,反向接近不导通,正向接近全部导通。反向接近不导通表明仍有泄露的电流,这个电流越小,表明该器件做得越好。
据此,可以用二极管构造出逻辑运算单元。图1-8左侧是一个“与”门电路。分别给A 和B 输入0 V 或5 V 的电压,将输出端L 的电压输出情况换算成逻辑真值表,0 V 电压代表假(0),5 V 电压代表真(1),得到右边相应的真值表。
图1-8 逻辑“与”运算的电路
同理,可以构造出“或”运算的电路,如图1-9所示。
(www.xing528.com)
图1-9 逻辑“或”运算的电路
“非”门的构造要复杂一些,需要用开关型的三极管(另一种三极管主要用于信号放大)构造,如图1-10所示。
输入电压VA控制三极管开关的开启(open)与闭合(closed)动作,当三极管呈开启状态时,负载电流被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流可以流通。
当VA为低电压时,由于没有给三极管控制电压,三极管不导通,VF为高电压(+5 V)。
同理,当VA为高电压时,与地之间的电流迫使三极管导通,VF也成为低电压(接近于地的电压)。从而得到图1-10的“非”运算电路。
图1-10 逻辑“非”运算的电路
免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。