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P0~P3口负载能力探究

时间:2023-10-23 理论教育 版权反馈
【摘要】:P0口与P1、P2、P3口相比,P0口的驱动能力较大,每位可驱动8个LS TTL输入,而P1、P2、P3口的每位的驱动能力,只有P0口的一半,只能驱动3~4个LS TTL输入。下面讨论P1~P3口与LED发光二极管的驱动连接问题。由于P1~P3内部有30kΩ左右的上拉电阻。如高电平输出,则强行从P1、P2和P3口输出的电流I d会造成单片机端口的损坏,如图2-15所示。图2-15发光二极管与单片机的并行口的直接连接

P0~P3口负载能力探究

P0口与P1、P2、P3口相比,P0口的驱动能力较大,每位可驱动8个LS TTL输入,而P1、P2、P3口的每位的驱动能力,只有P0口的一半,只能驱动3~4个LS TTL输入。当负载过多超过限定时,必须驱动,否则造成端口工作不稳定。

当P0口某位为高电平时,可提供400μA的电流;当P0口某位为低电平(0.45V)时,可提供3.2m A的灌电流。如低电平允许提高,灌电流可相应加大。所以,任何一个口要想获得较大的驱动能力,只能用低电平输出。

P1口、P2口和P3口不必外加提升电阻就可驱动任意MOS输入,P0口需外加提升电阻才能驱动MOS输入。但在用地址/数据总线时,P0口可直接驱动MOS输入而不必外加提升电阻。

下面讨论P1~P3口与LED发光二极管的驱动连接问题。(www.xing528.com)

例如,采用MCS-51单片机的并行口P1~P3直接驱动发光二极管,电路如图2-15所示。由于P1~P3内部有30kΩ左右的上拉电阻。如高电平输出,则强行从P1、P2和P3口输出的电流I d会造成单片机端口的损坏,如图2-15(a)所示。如端口引脚为低电平,能使电流I d从单片机外部流入内部,则将大大增加流过的电流值,如图2-15(b)所示。因此,当P1~P3口驱动LED发光二极管时,应该采用低电平驱动。

图2-15 发光二极管与单片机的并行口的直接连接

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