FLASH存储器的差异与应用

通常也把FLASH存储器称为闪存。FLASH兼具ROM和RAM的优点，不仅具备电子可擦除、可编程（EEPROM）的特性，而且还不会断电丢失数据。

过去的几十年时光里，最初嵌入式系统是使用ROM（EPROM）来存储数据。由于FLASH的特点，这些年基本实现了FLASH替代ROM。我们经常见到的U盘和MP3就使用了FLASH。现在最流行的就是使用FLASH来存储BOOTLOADER、操作系统和程序代码，甚至是直接当硬盘使用。

FLASH的工作原理是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息。因为浮置栅不会漏电，所以即使断电后，其信息仍然可以保存。FLASH的集成度可以做的非常高，容量可以做的非常大。在对FLASH进行写入之前，需要对其进行电擦除操作。通常在对EEPROM进行擦除的时候，都是以字节为单位进行擦除。而FLASH不行，FLASH ROM只能以扇区为最小单位进行擦除操作。擦除是这样，而擦除完之后的写入操作，FLASH ROM可以以字节为单位进行。

因为技术的发展，导致出现了两种技术路线的FLASH。一种是NOR FLASH，另一种是NAND FLASH。

NAND FLASH的各个存储单元之间是串联的，而NOR FLASH各个存储单元之间是并联的。

NAND FLASH在设计时故意设计得和硬盘的容量大小对应：它把全部的存储单元分为若干块，每个块又分为若干页，每页是512byte。这种设置导致了每页NAND FLASH存储的数据正好和硬盘的一个扇区存储的数据相同，这就极大地方便了与硬盘进行数据交换。同理，NAND FLASH的块就类似于硬盘的簇。NAND FLASH的容量不同，块的数量就不同，组成块的页的数量也不同。

NOR FLASH的每个存储单元是以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了FLASH对处理器指令的执行时间。(www.xing528.com)

NAND FLASH和NOR FLASH这些差异导致了一些技术应用上的不同。

对于NAND FLASH的读取，是一次读取一块数据，也就是一次读512个字节，这种技术意味着相应的FLASH很廉价。但是由于它一次读写的是一块数据，用户不能直接运行NAND FLASH上的代码。

对于NOR FLASH来说，由于其可以寻址到每一个单元，因此NOR FLASH通常可以做得容量很小，读写速度也可以很快。而用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，所以通常用NOR FLASH来存储一些操作系统的代码。NOR FLASH占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。

所以我们经常看到如果使用的是小容量的FLASH，通常是NOR FLASH；如果要使用大容量的FLASH，则通常是NAND FLASH。还有一种情况时，有的时候有些大容量的系统虽然用到了NAND FLASH，但同时还会搭配一块较小的NOR FLASH来运行启动代码。

目前生产NOR FLASH的主要公司包括INTEL、AMD、FUJITSU和TOSHIBA，而生产NAND FLASH的主要厂家有SAMSUNG和TOSHIBA。