S3C6410X的Flash控制器原理如图12-2所示。
图12-2 S3C6410X的Flash控制器
CS为片选,决定了NAND FLASH的地址空间;CLE为命令锁存,发送命令时需要拉高;ALE为地址/数据锁存;I/O[0~7]为8根数据线;RnB为忙信号;FREn为读操作有效信号;FWEn为写操作有效信号。图12-3为S3C6410X的Flash接口时序。
图12-3 S3C6410X的Flash接口时序
NAND Flash的操作是通过命令来完成的,整个命令包括命令、地址、数据几个部分。标准的NAND Flash命令如下:
#define NAND_CMD_READ00
#define NAND_CMD_READ11
#define NAND_CMD_RNDOUT 5
#define NAND_CMD_PAGEPROG 0x10
#define NAND_CMD_READOOB 0x50
#define NAND_CMD_ERASE10x60(www.xing528.com)
#define NAND_CMD_STATUS 0x70
#define NAND_CMD_SEQIN 0x80
#define NAND_CMD_RNDIN 0x85
#define NAND_CMD_READID 0x90
#define NAND_CMD_ERASE20xd0
#define NAND_CMD_PARAM 0xec
#define NAND_CMD_GET_FEATURES 0xee
#define NAND_CMD_SET_FEATURES 0xef
#define NAND_CMD_RESET 0xff
#define NAND_CMD_LOCK 0x2a
#define NAND_CMD_UNLOCK10x23
#define NAND_CMD_UNLOCK20x24
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