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室内可见光通信研究:光OFDM和相关技术+LED赋能

时间:2023-10-18 理论教育 版权反馈
【摘要】:1962年,GaAsP红光发光二极管诞生。图1.3LED类型OLED由阳极、阴极和加在两者中间的半导体薄膜所构成。价带顶部的能量与导带底部的能量之间的能带隙可表示为导带中的电子能量为价带中的空穴能量为1.5.3LED非线性特性对于理想的 LED,输入与输出呈线性关系。

室内可见光通信研究:光OFDM和相关技术+LED赋能

1962年,GaAsP红光发光二极管诞生。与传统的照明光源荧光灯和白炽灯相比,LED在能效、光照度、寿命和可靠性方面都表现出了技术优势。随着III-V族合金的提纯和外延技术的发展,LED的性能在过去的50年中获得了显著的提升。商用LED的效率已从0.1lm/W迅速提升到100lm/W以上。目前,LED可以发射从短波长(紫色)到长波长(红色)的所有可见光谱的光。因此,LED已广泛应用于我们的日常生活中,如普通照明、交通信号灯平板显示器。在全球商业照明中,LED的市场份额不断增长,未来几年,商用LED销售税收将超过200亿美元。尽管目前LED的价格高于传统光源,但可以预见的是,随着制造技术的发展,LED的成本将进一步降低。

1.5.1 LED类型

图1.3所示为目前主要的几种LED类型,包括荧光LED(pc-LED),多芯片LED,有机LED(OLED)和微LED(μ-LED)。其中pc-LED和多芯片LED通过将两种或多种不同波长的光混合而产生白光,是照明最常用的两种LED。典型的商用pc-LED是在发射蓝光的芯片外面涂覆发射黄光的荧光粉,通过蓝光和黄光混合产生白光。随着加工技术的发展,pc-LED的发光效率已提高到150lm/W。但是,荧光粉的响应速度较慢,pc-LED的调制带宽很低,被限制在几兆赫兹以内。多芯片LED是利用3个或更多LED芯片发出不同的单色光,根据预定比率将各色光混合在一起而产生白光,即红、绿、蓝(RGB)LED。多芯片LED具有显色性好的优点,其调制带宽可以达到pc-LED的数倍,但其成本较高,调制电路复杂。

图1.3 LED类型

OLED由阳极、阴极和加在两者中间的半导体薄膜所构成。OLED的发光机制与无机LED不同。在电子-空穴对复合时,形成了单重态或三重态激发的高能分子态,激发所产生的光和波长与薄膜层相关。基于小分子的OLED常用于平板显示。与液晶显示相比,OLED在能效、对比率、刷新频率等方面具有优势。

μ-LED是一种新兴的LED,可用于自发光微显示器、多站点光激励和混合无机/有机器件。与液晶显示器不同,μ-LED显示器具有自发光和能效高的优点,此外,可支持广视角观看而不会发生色彩偏移。与化学特性不稳定的基于有机材料的OLED不同,μ-LED继承了无机LED的稳定性,具有更长的使用寿命。通常μ-LED显示器集成了大量小型LED元件,每个元件的尺寸仅为微米级或更小。常用的安装μ-LED阵列的方法是将多个微芯片元件布置在基底,且μ-LED的元件被单独寻址,这就增加了设计的复杂性。一种解决方案是逐行或逐列地处理每个元件。

1.5.2 LED发光原理

常见的LED是由两种不同的半导体材料(即P型和N型)形成PN结而产生。对于P区,空穴是多子,电子是少子;而对于N区,电子是多子,而空穴是少子。在没有偏置电压时,位于P区中的多子空穴扩散到N区,并与电子复合,在N区产生正电荷离子;而N区中的电子将扩散到P区,并与空穴复合,在P区释放出带负电荷的离子。最后,在P区和N区的边界处形成内建扩散电场,表示为

其中,q是元电荷;k是玻尔兹曼常数;T是绝对温度;NA和ND分别表示P区的受主半导体浓度和N区的施主半导体浓度;ni是P区和N区的本征载流子浓度。如图1.4所示,内建电场会阻碍P区和N区的多子扩散,在交界处形成耗尽区,从而达到平衡状态。

图1.4 平衡条件下的PN结

当在PN结的两端加上正向偏置电压V时,位于P区的空穴和N区的电子会分别扩散到对方区域,如图1.5所示。此时,耗尽区宽度变小,可表示为

其中,ε是半导体的介电常数

图1.5 正向偏压时的PN结

当耗尽区宽度变得足够小时,电子将穿过PN结进入中性P区并与空穴重新复合。由于导带中的电子与价带中的空穴之间的能带隙,电子-空穴对复合时将产生光子激发。价带顶部的能量(Ev)与导带底部的能量(Ec)之间的能带隙(Eg)可表示为

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导带中的电子能量为

价带中的空穴能量为

1.5.3 LED非线性特性

对于理想的 LED,输入(正向偏置)与输出(发射光功率)呈线性关系。而实际的LED总是存在非线性失真,导致系统性能显著降低。可用肖克利(Shockley)理想二极管方程来描述电流和电压之间的非线性效应。

式中,IS为饱和电流,表示为

式中,A是结面积;Dp和Dn表示电子和空穴扩散常数;τp和τn是少子寿命。由于扩散常数、少数载流子寿命和本征载流子浓度都是与温度相关,因此对于特定LED,饱和电流是不固定的。

由于正向电压通常远大于热电压(kT/e),因此肖克利理想二极管方程可以简单地近似为

此外,电流-光功率(I-P)转换也是非线性的,可以建模为无记忆或记忆模型。典型的无记忆LED模型是多项式模型。基于泰勒级数,可以得到非线性传递函数的多项式近似

式中,αn为非线性传递函数的n次幂系数,IDC代表直流电流。

由于LED的电容、电导和频率密切相关,因此多项式模型不能准确地描述LED的动态和记忆属性,取而代之的是将非线性和记忆效应结合在一起的Volterra模型。基于Volterra系列的连续时间系统的电流—光功率转换可表示为

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