DS28B20存储器操作指令及特点

以下为DS28B20芯片存储器操作指令，方括号中为16进制的命令字。

（1）Write Scratchpad（向RAM中写数据）[4EH]

这是向RAM中写入数据的指令，随后写入的两个字节的数据将会被存到地址2（报警RAM之TH）和地址3（报警RAM之TL）。写入过程中可以用复位信号中止写入。

（2）Read Scratchpad（从RAM中读数据）[BEH]

此指令将从RAM中读数据，读地址从地址0开始，一直可以读到地址9，完成整个RAM数据的读出。芯片允许在读过程中用复位信号中止读取，即可以不读后面不需要的字节以减少读取时间。

（3）Copy Scratchpad（将RAM数据复制到EEPROM中）[48H]

此指令将RAM中的数据存入EEPROM中，以使数据掉电不丢失。此后由于芯片忙于EEPROM储存处理，当控制器发一个读时间间隙时，总线上输出“0”，当储存工作完成时，总线将输出“1”。在寄生工作方式时必须在发出此指令后立刻采用强上拉并至少保持10ms，来维持芯片工作。(www.xing528.com)

（4）Convert T（温度转换）[44H]

收到此指令后芯片将进行一次温度转换，将转换的温度值放入RAM的第1、2个字节里。此后由于芯片忙于温度转换处理，当控制器发一个读时间间隙时，总线上输出“0”，当储存工作完成时，总线将输出“1”。在寄生工作方式时必须在发出此指令后立刻采用强上拉并至少保持500ms，来维持芯片工作。

（5）Recall EEPROM（将EEPROM中的报警值复制到RAM）[B8H]

此指令将EEPROM中的报警值复制到RAM中的第3、4个字节里。由于芯片忙于复制处理，当控制器发一个读时间间隙时，总线上输出“0”，当储存工作完成时，总线将输出“1”。另外，此指令将在芯片上电复位时将被自动执行。这样RAM中的两个报警字节位将始终为EEPROM中数据的镜像。

（6）Read Power Supply（工作方式切换）[B4H]

此指令发出后产生读时间间隙，芯片会返回它的电源状态字，“0”为寄生电源状态，“1”为外部电源状态。