双极型晶体管原理及应用介绍

绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）是通过栅极驱动电压来控制的开关晶体管，工作原理与电力场效应晶体管（P-MOSFET）和电力晶体管（GTR）相似。因此具有输入栅极（G）和发射极（E）之间驱动功率很小，开关速度快，输出集电极（C）和发射极（E）之间饱和压降低，工作电流大的优点。

IGBT有集电极C（Collector）、栅极G（Gate）、发射极E（Emitter）三个极，工作原理是在IGBT的G、E间施加一个电压，则在C、E间有大电流流过，是电压放大电流的器件，其工作情况如下。

（1）栅极（G）和发射极（E）之间无驱动电压或低于开启电压。

若电力场效应晶体管栅极（G）和电力晶体管发射极（E）之间电压为0，电力场效应晶体管的集电极（C）和发射极（E）处于截止（不导通）状态。

（2）栅极（G）和发射极（E）之间电压大于或等于管子的开启电压。(www.xing528.com)

电力场效应晶体管栅极（G）和发射极（E）之间电压大于或等于管子的开启电压，沟道导电，电力场效应晶体管的集电极（C）和发射极（E）处于导通状态，且开启电压越大，导电能力越强，漏极电流越大。一旦导电沟道形成，即使电力场效应晶体管栅极（G）和发射极（E）之间电压降低至管子的开启电压以下或为零电压（取消驱动电压），导电沟道仍不会消失，电力场效应晶体管的集电极（C）和发射极（E）仍处于导通状态。

（3）栅极（G）和发射极（E）之间加负电压时。

电力场效应晶体管栅极（G）和发射极（E）之间加负电压时，导电沟道消失，管子的集电极（C）和发射极（E）处于截止状态，且开启负电压越大，导电沟道消失越快。