屏蔽效能计算及影响因素

屏蔽效能（dB）通常用被屏蔽后的电场或磁场被衰减的程度表示，其定义为

电场：

磁场：

式中，E₀（H₀）为入射场强；E₁（H₁）为从屏蔽体上发生的传播场强。当电磁波入射到金属表面时产生的损耗有两种：在金属表面的反射损耗和在金属内部传播并通过介质衰减的吸收损耗。反射损耗取决于场的形式和波阻，而吸收损耗则取决于介质的性质。

一种材料的总屏蔽效能（dB）等于吸收损耗（A）、反射损耗（R）及一个在薄层屏蔽体上多次反射的修正系数（B）的总和，即

S=A+R+B （5-30）

一般情况下，当吸收损耗A大于10dB时，修正系数B即可忽略不计。

1.吸收损耗A

当电磁波通过介质时，其幅度以指数形式衰减，产生这一损耗的原因是介质中的感应电流将产生欧姆损耗，并变为热能耗散。吸收损耗（dB）为(www.xing528.com)

式中，f为入射波角频率；t为入射距离；μ、δ分别为介质磁导率和电导率。

一般的屏蔽体厚度为一个集肤深度δ时吸收损耗约为9dB，而屏蔽体的厚度增加、入射波的频率增加都将加大吸收损耗。

2.反射损耗R

在两种介质的交界面的反射损耗与两种介质的阻抗特性有关，从具有阻抗Z₁的介质到具有阻抗Z₂的介质的传播波强度为

式中，E₀（H₀）为入射波强度；E₁（H₁）为传输波强度。

以电磁波进入屏蔽体前的波阻Z_W代替Z₁，以屏蔽体屏蔽阻抗Z_S代替Z₂，则有反射损耗（dB）为

一般情况下，当入射波频率增加时，反射损耗将下降。