场效应晶体管的识别与检测方法

1.场效应晶体管的构成和作用

场效应晶体管全称金属氧化物半导体场效应晶体管，英文简称MOS FET。它是一种利用场效应原理工作的半导体器件，属于单极型电压控制器件。场效应晶体管在电路中的作用是放大、调制、恒流源、阻抗变换、可变电阻等。场效应晶体管是电压控制器件，主要是通过输入电压的变化来控制输出电流的变化，从而达到放大等目的。场效应晶体管还具有开关速度快、热稳定性好、高频特性好、工作电流大、输出功率大等优点，工作电流可达100A，输出功率可达250W。

场效应晶体管也有三个极：栅极G（对应双极型三极管的B极）、漏极D（对应双极型三极管的C极）、源极S（对应双极型三极管的E极）。场效应晶体管的文字符号和半导体三极管一样，用VT或V表示，也有使用字母N或Q的。场效应晶体管主要分结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管。结型场效应晶体管又分N沟道和P沟道。电动车控制器中功率部分基本都采用场效应晶体管，它是控制器中损坏率较高的器件。场效应晶体管电路图形符号如图2-30所示。场效应晶体管外形如图2-31所示。

图2-30 场效应晶体管电路图形符号

图2-31 场效应晶体管外形

2.场效应晶体管的标示方法(www.xing528.com)

场效应晶体管按国标GB/T 249—1989《半导体分立器件型号命名方法》规定，由三部分组成，第一部分：用字母“CS”表示场效应晶体管；第二部分：序号，用数字表示型号的序号；第三部分：规格，用字母表示。其标示方法如图2-32所示。

图2-32 场效应晶体管的标示方法

3.场效应晶体管的常见故障，检测和更换方法

场效应晶体管的常见故障是烧坏、断路和击穿。其检测方法与半导体三极管的检测方相同。

场效应晶体管更换原则，功率大的可代换功率小的，耐压高的可代换耐压低的，电流大的可代换电流小的，导通电阻小的可代换导通电阻大的。