(一)专利保护的对象、范围和期限
专利权的客体即专利权的保护对象,是专利制度的重要组成部分。澳门特区现行《工业产权法律制度》第一编第一章第3条工业产权的客体范围,“工业产权涵盖经济活动之所有领域,包括农业、林牧业、渔业、采掘业、加工业、商业及服务业,亦涵盖一切自然产品或制成品”。《工业产权法律制度》第三编规定了发明专利、实用专利、设计及新型三种受保护的专利类型。
《工业产权法律制度》第三编第一章 (第60~135条)除了规定保护发明专利外,规定保护还扩展到实用专利、药品及植物药剂产品。第一章规范发明,共4节,具体规范:①发明专利 (第一节 “一般规定”第60~119条);②实用专利 (第二节第120~124条);③药品及植物药剂产品之保护补充证明书 (第三节第125~128条);④外地授予之专利之延伸 (第四节第129~135条)。专利法上所指的发明具有特定的含义,可分为两大类,一是科技领域内有关产品的任何发明,二是科技领域内有关产品、物质或结构成分之产生方法的任何发明。简而言之,即产品发明和方法发明两种类。澳门特区的 “实用专利”对应大陆的 “实用新型专利”,是指 “能赋予物品某一形状、构造、机制或配置从而增加该物品之实用性或改善该物品之利用之发明”(第120条第1款)。实用专利的技术水平较发明专利低,是 “小发明”;发明专利的保护对象比实用专利的要广。对于能够获得实用专利的,方可同时或相继申请发明专利或实用专利;对同一发明授予发明专利后,实用专利即停止发生效力。[73]申请实用专利的有关费用较发明专利减少40%。[74]第一节之一般规定中不违反第二节对实用专利的规定的,除提交审查报告书申请的期限不同外,经作出必要配合后,其他方面实用专利与发明适用同样的规定。[75]第四节外地授予之专利之延伸,既体现了澳门特区 《工业产权法律制度》受到葡萄牙 《工业产权法典》的历史影响,也反映了澳门回归后指定国家知识产权局为审查实体的法律主权化和本地化的现实需要。
根据 《工业产权法律制度》第61条的规定,取得发明专利要满足三项积极要件,即新颖性、包含发明活动和工业实用性。同时,还要求该发明不能存有消极要件,消极要件阻却该发明获得专利权。《工业产权法律制度》第62条 (可获授予专利之例外及限制)列举了不可获授予专利的方法或活动。
《工业产权法律制度》对发明专利、实用专利及药品和植物药剂产品的保护补充证明书规定了不同的保护期限。发明专利的保护期限为,自申请日起计共20年存续期。[76]实用专利的保护期限,自提出申请日起计共6年存续期;该期间得续展两次,每次增加2年;总共不得超过10年。[77]在专利生效期间,其权利人得在产品上使用第107条所指之字样标示,亦得使用“实用专利”或 “实用专利号”之中文字样及相应葡文字样 (“Patente de utilidade n.o”或 “Pat.Util.n.o”)标示。[78] 药品及植物药剂产品之保护补充证明书 (简称 “补充说明书”)的存续期,不得超过作为发出该补充证明书依据之专利之存续期届满后之7年。[79]由此可见,澳门特区对专利保护期限的设置是比较灵活的,它不仅根据不同种类专利权各自的特点,为发明专利权规定了较长的保护期限,为实用专利权、药品及植物药剂产品之保护补充证明书规范了较短的保护期限,还规定了实用专利权可以根据当事人的意愿,选择申请并缴纳法定续展费用而得以续展。如此规定,兼顾了公共利益和个人权利之间的平衡,既能保护公共利益,有利于科学技术的迅速传播,又能赋予权利人充分的自主选择权。法定的续展费用能迫使权利人从经济角度慎重考虑续展的必要性,既能尊重权利人的权利,又在很大程度上维护了公共利益。[80]
(二)半导体产品拓扑图
半导体产品拓扑图由 《工业产权法律制度》第二章 (第136~149条)规范。除该章所载之特别规定外,第一章第一节中与半导体产品拓扑图之性质不相抵触之各项规定,均适用于半导体产品之拓扑图。澳门加入世界贸易组织后,根据 《TRIPs协定》内的规定,有义务在其法例内引入保护下列工业产权之适当法律机制:①专利,包括职务之取得之保护;②工业品之外观设计及新型;③生产商标及商业商标,包括服务商标;④地理标记,包括原产地名称;⑤集成电路布局拓扑图。为完全履行澳门地区所承担之国际义务,对旧法律框架做出修订而颁布施行的 《工业产权法律制度》即以专章规定半导体产品拓扑图。
《工业产权法律制度》第137条规定了半导体产品的定义,第138条规定了半导体产品拓扑图的定义。半导体产品是指由含有一个半导体层面的一项材料组成,并且包含一个或多个由导体、绝缘体或半导体组成及按一项预置三维模式配置的层面,以及用于单独或与其他功能结合下执行某种电子功能的任何产品的最终或中间状态。而半导体产品拓扑图是指显示该产品含有各层面三维配置的一系列被固定或被编码的互连图像,在该系列图像中,每一图像须包含同一产品的某表面在产品的任一制造阶段中的配置或部分配置。(www.xing528.com)
《工业产权法律制度》第136条规范对半导体产品拓扑图的保护。透过拓扑图登记证书,保护作为创作者之智力成果且非属半导体工业领域常规设计之半导体产品拓扑图,保护由半导体工业领域之常规组件组成之拓扑图,只要作为该等常规元件组合之整体符合上款所指之条件。上述保护仅包括电路之布局设计,而不包括被结合在拓扑图内之任何构思、方法、系统、技术或已被编码之信息。第142条规定了对半导体产品拓扑图的保护期限,自申请日起计登记之存续期为10年,如申请日后首次在任何地点对拓扑图作商业利用之日,则自该首次作商业利用之日起计。
关于半导体产品拓扑图登记权及其行使。《工业产权法律制度》第139条规定,在任何地点对拓扑图作首次商业利用起计之2年,或者如对拓扑图从未作利用,则自拓扑图首次被固定或被编码之日起计之15年,不得行使半导体产品拓扑图之登记权。第143对导体产品拓扑图登记所授予的权利作了列举说明,第144条作了权利限制规定。在登记生效期间,其权利人得在透过使用受保护拓扑图而制造之半导体产品上,使用以下任一形式表示之大写T字母:T,“T”,〔T〕,T T*或。[81]
《工业产权法律制度》第289条规范了侵犯半导体产品拓扑图,即以从事企业活动之方式,旨在为自己或第三人获得不正当利益,在未经工业产权之权利人同意下作出下列任一行为者:①制造属半导体产品拓扑图之标的之制造品或产品;②采用或运用属半导体产品拓扑图之标的之方法或程序;③进口或分销透过以上两项所指之任一方式获得之产品。侵犯半导体产品拓扑图属于刑事违法行为,处最高2年徒刑或科60日~120日罚金。
(三)设计及新型
设计及新型由 《工业产权法律制度》第三章 (第150~196条)规范。设计及新型的保护对象是,以某一产品本身所具备及/或其装饰所使用之线条、轮廓、色彩、形状、质地及/或材料将该产品之全部或部分外观体现出来之符合法规要求的创作,应具备新颖性和独特性,方得透过取得设计或新型之注册证书而成为本法规之保护对象。[82]澳门特区 (工业)设计及新型不同于大陆的 “实用新型”概念,而是与大陆的工业品外观设计概念相关。严格而言,实用新型和外观设计有其自身特点,并不完全符合专利法所规定的发明的定义;理论上,在专利只包括发明,而不包括实用新型和外观设计的情况下,“专利”一词才能真正代表技术和创新。因此,根据发明专利、实用新型和外观设计的不同特点,采用不同的保护规定是世界各国政府的考虑重点。《与贸易有关的知识产权协定》(《TRIPs协定》)的规定主张对外观设计单独立法进行保护;对实用新型和外观设计实行有别于发明专利的单独保护也已为当今国外大多数国家所肯定。与内地专利法将发明、实用新型和外观设计纳入专利保护范围不同,澳门特区对三者实行了区别保护规范。澳门特区 《工业产权法律制度》将 (工业)设计及新型从专利中分离出来,授予 “注册权”保护,颁发 “注册证书”。[83]尽管澳门特区仍将实用专利(对应内地专利法的实用新型)归入专利范围,授予 “专利权”保护,颁发 “专利证书”,但实用专利的期限、表示方法、费用等规定已不同于发明专利的规定。总言之,澳门特区对专利权保护对象的规定,比内地更符合国际发展趋势。[84]
设计及新型的保护期限体现为:自申请注册之日起计共5年存续期,注册得以相同期间续展,直至届满25年存续期限。[85]纺织品或衣服之设计或新型,以及以训令定出之其他产业之设计或新型,均得成为提前保护申请之对象。[86]《工业产权法律制度》保护设计或新型之专属权:以从事企业活动之方式,旨在为自己或第三人获得不正当利益,在未经工业产权之权利人同意下,复制或模仿一项经注册之设计或新型之全部或部分特征,或者利用一项经注册之设计或新型,或者进口或分销透过前两项所指任一方式获得之设计或新型,均被视为侵犯设计或新型之专属权,处最高2年徒刑或科60日~120日罚金。[87]
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