首页 理论教育 同轴传输线单个包络周期微放电“最坏状态”分析

同轴传输线单个包络周期微放电“最坏状态”分析

时间:2023-07-24 理论教育 版权反馈
【摘要】:图5-7给出T20窗口时“最坏状态”Φi的波形,对不同的频率间隔,其波形显著不同。图5-8和图5-9给出了当Tx从T1变到Tmax时的“最坏状态”波形。对于10 MHz和1.25 MHz频率间隔,Tmax的值分别为T67和T536,随着Tx的增加,两种频率间隔的“最坏状态”波形从类同相变为类三角相位分布。为了确定全局阈值,单个包络周期内累积的空间电子数的最大密度需要与能够产生“可检测微放电”的“阈值密度”进行比较。

同轴传输线单个包络周期微放电“最坏状态”分析

为了获得某一Tx窗口的SMD“最坏状态”Φi搜索能够被PSC以Tx长度的时间窗口削顶的多载波波形,并进一步进行优化从而获得能够在单个包络周期内以最小功率产生NEmax电子的波形。在SMD优化中除特殊说明外初始电子数目均取1。

图5-7分别给出了10 MHz和1.25 MHz两种频率间隔时采用T20时间窗口进行优化的结果。图5-7(a)给出了两种频率间隔的收敛曲线,图5-7(b)给出了T20窗口的优化局部极值点。对于10 MHz频率间隔,局部极值点在22.57~101.84 W变化,全局“最坏状态”Φi为[0,0,4,12,301,180],对应的功率PWC为22.57 W;对于1.25 MHz频率间隔,局部极值点在5.93~16.29 W变化,全局“最坏状态”Φi为[0,0,348,358,8,339],与同相相位分布波形相似,对应的功率PWC为5.93 W。在这些局部极值点中没有三角相位分布波形。

图5-7(c)给出T20窗口时“最坏状态”Φi的波形,对不同的频率间隔,其波形显著不同。同样,图5-7(d)给出了最小载波功率PWC时全局极值点对应相位的二次电子数随时间变化曲线。从图中可以看出,在连续包络周期间累积的电子数目随时间减小,意味着该信号无法激发LMD。

图5-7 频率间隔分别为10 MHz(左栏)和1.25 MHz(右栏)SMD微放电“最坏状态”优化结果(见彩插)

(a)优化误差函数收敛过程;(b)SMD微放电局部极小值优化结果;(c)优化获得的“最坏状态”波形;(d)优化所得多载波信号阈值时电子数在连续包络周期间的变化

以同样的方式,分析了其他Tx窗口的“最坏状态”Φi和对应的PWC功率。图5-8和图5-9给出了当Tx从T1变到Tmax时的“最坏状态”波形。对于10 MHz和1.25 MHz频率间隔,Tmax的值分别为T67和T536,随着Tx的增加,两种频率间隔的“最坏状态”波形从类同相变为类三角相位分布。但是,Tmax的值显著不同。这是由于Tx窗口的宽度和包络周期分别由中心频率和频率间隔决定,对于相同的中心频率和不同的频率间隔,图5-8和图5-9中相同的Tx对应的长度是相同的,而图5-9中的包络周期长度是图5-8中长度的8倍。

图5-8 频率间隔为10 MHz时不同Tx窗口的“最坏状态”波形

(www.xing528.com)

图5-9 频率间隔为1.25 MHz时不同Tx窗口的“最坏状态”波形

图5-10和图5-11分别给出了随Tx的增加对两种频率间隔多载波信号优化后获得的PWC功率和NEmax。由于随Tx的增加会导致PWC功率和NEmax均增加,两者的曲线具有相似的形状。因此,在对“开区间”[5]的分析中,没有哪个Tx是特别的,包括T20。值得注意的是,每一个Tx窗口的PWC功率是SMD阈值的一个局部极值点。为了确定全局阈值,单个包络周期内累积的空间电子数的最大密度需要与能够产生“可检测微放电”的“阈值密度”进行比较。根据图5-4,在UHF频段107/cm3可以认为是“阈值密度”。

由图5-10(b)和图5-11(b)可以看出,当初始电子数量N0为1时,对于10 MHz和1.25 MHz频率间隔,单周期微放电分别发生在T64和T257窗口。在图5-10(a)和图5-11(a)中,对于这两种Tx窗口,对应的PWC功率为108.20 W和25.56 W。这意味着对于10 MHz频率间隔,只加载1个电子,SMD将无法被给定灵敏度检测到,除非PWC功率增加到108.20 W。作为比对,对1.25 MHz频率间隔,微放电可以轻易地被检测到,因为PWC功率只需要达到25.56 W即可引发微放电。为了估计在“适当加载种子电子”(Adequate seeding)[10]情况下的全局单个包络周期微放电阈值,本节分别计算了N0为1 000和10 000的NEmax曲线,如图5-10(b)和图5-11(b)所示。对于10 MHz和1.25 MHz频率间隔,当N0从1 000变到10 000时,能够激发放电的Tx窗口分别从T47到T48、从T74到T83变化。对应的全局阈值功率从57.89 W到67.98 W、从9.90 W到11.57 W变化。与只加载1个电子不同,当N0在如此宽的范围变化时,而两者的PWC功率变化很小,Tx的值也很接近。这就是在“适当加载种子电子”的情况下观察到的阈值具有一致性的原因,这一结果也解释了ESA推荐的在SMD测试时必须“适当加载种子电子”的合理性[10]

图5-10 频率间隔为10 MHz时SMD微放电“最坏状态”确定(见彩插)

(a)PWC随Tx的变化;(b)对数坐标下NEmax随Tx的变化

图5-11 频率间隔为1.25 MHz时SMD微放电“最坏状态”确定(见彩插)

(a)PWC随Tx的变化;(b)对数坐标下NEmax随Tx的变化

由以上结果可以看出,种子电子的数量将决定SMD是否能被检测到,或者在何种Tx窗口被检测到。因此,基于固定Tx窗口的分析结果是不合理的。在图5-10和图5-11中,根据T20规则确定的SMD阈值是非常保守的。

免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。

我要反馈