下面是附录一实例2［3］的讨论和结论部分。
让我们来逐句地详细分析作者在讨论和结论部分每句句子表述的内容及其目的：
1 双滑移晶体的循环形变初始硬化速率决定于晶体轴向，按
，［012］and
次序依次减小。作者介绍了本论文的主要结果1。
2 总体来说，双滑移晶体的初始硬化速率与单滑移轴向晶体可相比较。作者把结果1与已有的研究结果作比较。
3 三种双滑移晶体的饱和应力各不相同，以
晶体为最高。作者介绍了本论文的主要结果2。
4 不同的循环形变初始硬化速率可以用晶体中的位错反应的强度解释。作者给出结果1的理论解释。
5 二次滑移系统的活性在上述三种双滑移晶体中呈现反向增强，解释了饱和晶体中形成的各异的位错结构。作者给出结果3及其理论解释。
6 Fig.13显示了轴向在极射投影三角形中不同区域的晶体中形成的不同的饱和位错结构的类型。作者提出循环形变的位错反应理论。
7 这些区域的边界的划分也用到了本论文中没有报道的其他疲劳实验的结果。作者指出循环形变位错反应理论有更广泛的实验基础。(www.xing528.com)
8 轴向落在A区的晶体中只有单一滑移系统是激活的，所以形成典型的驻留滑移带位错梯子结构和基体脉管结构。作者具体说明循环形变位错反应理论对A区内轴向晶体中位错结构的推断。
9—10 在B区中，如
］轴向晶体，
和
两个滑移系统位错反应形成Lomer-Cottrell位错锁。两个滑移系统位错因此分别占据晶体中清晰分离的畴域，各自在各畴域中形成如同A区晶体中的位错结构。作者具体说明循环形变位错反应理论对B区内轴向晶体中位错结构的推断。
11—14 在C区中，
和
两个滑移系统位错反应形成不可滑移的割阶，两个滑移系统的位错倾向于分别占据晶体中不同的畴域。某个畴域中为主的一种位错所形成的结构受到另一滑移系统位错的很强的影响。取决于畴域中第二滑移系统影响的强弱，位错可能形成类似于A区的结构，也可能形成迷宫结构。作者具体说明循环形变位错反应理论对C区内轴向晶体中位错结构的推断。
15—16 轴向落在D区的晶体中由于位错都在同一滑移面上，多滑移发生在晶体的每一个局域，形成与A区中的两相位错结构截然不同的胞状结构。作者具体说明循环形变位错反应理论在D区轴向晶体中位错结构的推断。
17—18 除了迷宫结构外，上述所有的位错结构都在多晶体中观察到了。很可能迷宫结构在极射投影三角形的顶点附近形成。作者指出循环形变位错反应理论对本领域的贡献：解释了多晶体循环形变位错结构。
19 本论文的结论是：（i）驻留滑移带的位错墙结构是所有位错结构中最有效的一种；（ii）二次伯格斯矢量的存在阻止了位错墙结构的形成；（iii）循环形变中形成的位错结构与晶体中位错反应的模式紧密相关。作者在结论中提升出论文的三个主要成果，指出了论文对整个循环形变领域的贡献。
从上述的逐句分析中可见，作者在论文的讨论和结论部分总结归纳了三种双滑移铜晶体循环形变的应力-应变响应和饱和位错结构的主要结果。不仅对不同轴向的结果作了相互比较，也把本文报道的双滑移晶体的新结果与已有的单滑移晶体的结果作了比较。与作者在引言部分对各个双滑移方向的铜晶体中位错反应的模式和强度的详尽分析阐述（见4.1.2节）相呼应，作者把讨论部分的重点放在由实验结果分析和理论推测得到的位错反应模型上，既用此理论模型解释了本研究得到的三种双滑移晶体的结果，又预言了所有可能的面心立方轴向晶体中各自形成的饱和位错结构，从而牢牢地抓住了论文的最主要成果及其对整个循环形变研究领域的贡献。论文并未列出结论的主标题，但是作者在讨论部分的结尾用一个短语“We thus conclude”明确地把读者引入了结论部分。这里，作者不再重复论文的主要结果，而是在主要结果和理论模型的基础上进一步提升出论文的成果，从而指出了论文对循环形变这个研究领域的主要贡献，重点强调了循环形变中形成的位错结构与晶体中位错反应的模式紧密相关的论文主题思想。
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