接下来,以如图3-20 所示的波导法兰盘为例进行PIM 分析。
图3-20 波导法兰盘
波导法兰盘的连接结参数如下:
法兰盘的建模参数:波导端口1 的位置为(0,0,-0.15)~(0.054 61,0.109 22,-0.15);端口2 的位置为(0,0,0.15)~(0.054 61,0.109 22,0.15)。
激励信号:双路载波,载波频率分别为2.16 GHz 和2.21 GHz,总功率为180 W。
网格剖分:整体网格尺寸为2.7 mm。
非均匀网格剖分:方向范围为-7 ~7 mm;剖分尺寸为1.73 mm。(www.xing528.com)
图3-21 所示为无接触缝隙的矩形波导电磁仿真结果。由图可知,由于去除了法兰连接,不存在微接触,因此输出信号不会出现PIM 分量。图中,两个主峰的频率值分别为2.16 GHz 和2.21 GHz,是双路载波的载频;输出功率Pout均为49.5 dBm,数值仿真与理论分析一致,证明了电磁仿真的准确性。
图3-21 无接触缝隙的矩形波导电磁仿真结果
图3-22 所示为存在接触缝隙时的矩形波导电磁响应仿真结果。理论上,由于存在法兰连接,因此波导内将出现由非理想接触而导致的PIM 效应,表现为频谱出现PIM 分量。但由图可见,未经任何处理的PIM 仿真未出现任何PIM分量,其与图3-21 表示的无接触缝隙时的情况几乎完全一样。显然,该现象与之前的理论分析是一致的。由于数值计算存在误差,PIM 电平又非常低,因此若不进行降噪处理就无法对PIM 效应进行准确预估。
图3-22 存在接触缝隙时的矩形波导电磁仿真结果
图3-23 所示为利用本课题组提出的时域对消法计算得到的PIM 产物结果。相比于未使用时域对消法的计算结果(图3-21、图3-22),利用时域对消法后,波导法兰盘在180 W 输入功率的激励下,谱域内能够明显看到其各阶PIM 分量,非线性效应明显,3 阶PIM 为-118.5 dBm,实验结果为-122 dBm,仿真结果与实验结果吻合良好,证明了时域对消法的有效性,也进一步验证了本课题组开发的电-热-应力约束条件下复杂结构微波部件PIM效应预测方法的准确性和有效性。
图3-23 波导法兰盘的PIM 计算结果
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