【摘要】：在前面章节，我们分析了影响陶瓷透明的因素，下面就ZnO陶瓷高压下透明机理分析如下：1）目前氧化物透明陶瓷的烧结压力多在100 Pa，素胚的致密度在99.5左右。然而高压烧结过程中，由于压力的作用，会抑制ZnO晶粒的生长，从而最大限度地消除双折射对光的透过率。3）从表52中ZnO粉体和在5.0 GPa和800℃的条件下制备的ZnO陶瓷的晶格常数比较可以看出，高压下ZnO的晶胞体积减小了4.6%。
在前面章节，我们分析了影响陶瓷透明的因素，下面就ZnO陶瓷高压下透明机理分析如下：
1）目前氧化物透明陶瓷的烧结压力多在100 Pa，素胚的致密度在99.5左右。由于ZnO是一致熔融化合物，其熔点为1975℃，它不仅具有强烈的极性析晶特性，而且在高温下（1300℃以上）会发生严重的升华现象，所以100 Pa不能抑制ZnO的升华，而且会使胎体的致密度降低，并形成大量的气孔，严重影响ZnO陶瓷对光的透过率。高压不仅可以抑制ZnO的升华，同时还可以有效地提高烧结胎体的致密度，减少气孔率对于光的折射率。
2）ZnO为六方相结构，光从一个晶粒向另一个晶粒入射时由于双折射会产生散射。从理论上讲晶粒直径与入射光的波长相近时，晶粒对入射光的散射最强，因此消除双折射的方法是使晶粒的直径尽可能小于入射光的波长。常压烧结ZnO的过程中，由于ZnO强烈的极性析晶特性，会使ZnO在较短的时间内晶粒长大。然而高压烧结过程中，由于压力的作用，会抑制ZnO晶粒的生长，从而最大限度地消除双折射对光的透过率。(www.xing528.com)
3）从表5−2中ZnO粉体和在5.0 GPa和800℃的条件下制备的ZnO陶瓷的晶格常数比较可以看出，高压下ZnO的晶胞体积减小了4.6%。晶胞体积的减小也可能是消除双折射的因素之一。
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