ZnO作为一种具有半导体、发光、压电、光电、闪烁等性能的多功能晶体材料，室温下的禁带宽度为3.37 eV，与GaN的禁带宽度（3.39 eV）相近。ZnO由于其激子束缚能很高，高达60 meV，远大于GaN的激子结合能（21 meV）和室温热能（26 meV），所以理论上讲ZnO在室温可获得高效的激子发光。1997年D.M.Bagna[10]等人分别采用分子束外延的方法，在蓝宝石基片上生长出氧化锌薄膜，并在室温下观察到390 nm附近的近紫外激光发射，这一成果使人们坚信ZnO是制备紫外发光器件的理想材料。
目前，ZnO材料主要以薄膜和体单晶生长为主要研究对象，而忽视了透明ZnO陶瓷在该领域的研究和应用。这是由于ZnO体材料中透明的ZnO陶瓷制备较之其他氧化物陶瓷更加困难所致，其主要原因有两个：首先ZnO是一致熔融化合物，其熔点为1975℃，它不仅具有强烈的极性析晶特性，而且在高温下（1300℃以上）会发生严重的升华现象；其次，目前制备的氧化物透明陶瓷多为岩盐相结构，而ZnO为纤锌矿结构，同其他岩盐相结构氧化物相比，具有光学各向异性，会对光产生双折射而引发光散射。所以有关ZnO透明陶瓷材料的制备等方面的文献和专利尚无报道。
近年来的研究结果表明，陶瓷材料中的晶粒尺寸小于亚微米级，可以使具有纤锌矿结构材料的双折射的影响降低或消失。另外，随着高压技术研究的深入，高压作为除了成分、温度以外的第三个热力学维度，不仅可以有效地抑制材料的升华、提高材料致密度，而且可以改变材料的许多物理和化学性质，如改变材料的电子结构以及常压下难以发生的化学反应。
为此，我们采用高压方法开展了ZnO透明半导体陶瓷的制备工作，其目的和意义在于：(www.xing528.com)
1）通过采用ZnO粉体材料，在高温高压条件下，进行透明陶瓷烧结技术的研究，以期获得ZnO透明功能陶瓷的同时，进而在半导体等器件上得以应用。
2）开展ZnO透明陶瓷的研究，不仅可以填补该领域的研究空白，而且还可以深入了解纤锌矿结构的氧化物陶瓷的透明机理。
3）掌握如何减少和消除纤锌矿结构材料（如ZnO）的双折射，有效地抑制材料的升华等制备透明功能半导体陶瓷的关键技术。
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