MSM电极一般采用的湿法刻蚀都需要如下工艺流程：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀和去胶七个步骤。光刻过程中的每个步骤对光刻质量都有直接的影响，所以必须选择合适的工艺条件，严格做好光刻中的每一步，保证刻蚀图形的正确、清晰，没有钻蚀、毛刺、针孔和小岛等缺陷。
1.涂胶
本书讨论所采用的光刻胶为负胶，涂胶方法为旋转法或喷涂法。旋转法具体的操作为采用真空吸附法把样品固定在小转盘的轴心上，然后用滴管将光刻胶涂在样品上（要求胶液中无气泡），再开始转动小转盘（由电动机带动），使大部分的胶液因旋转而甩出，只有少部分留在样品上。这些胶在表面张力和旋转离心力相互作用下，展开形成一均匀的薄膜。胶膜的厚度由转速和胶液的浓度来决定。
2.前烘
前烘的目的是促使胶膜体内溶剂充分地挥发，使胶膜干燥，以增加胶膜与金属膜的粘附性和胶膜的耐磨性，即在曝光对准时允许胶膜与掩模版有一定紧贴而不磨损胶膜，不沾污掩模版。若烘焙时间不够，在交界处，胶中的溶剂未能完全挥发，曝光时将阻碍抗蚀剂中分子的交联，因而在显影时会有部分胶被溶除，形成浮胶或图形变形等。如果烘焙时间过长，则会由于增感剂挥发而造成曝光时间增长，甚至显影不出图形。一般前烘方法有两种，一种是在80℃恒温烘箱中烘焙10min；另一种是红外灯烘焙，时间为3min。
3.曝光
曝光就是在涂好光刻胶的样品表面覆盖掩膜版，用紫外光进行选择性照射，使受光照部分的光刻胶发生光化学反应，经显影，在胶膜上显现出与掩膜版相应的图形。
具体的操作程序是：先预热紫外灯（约10min），使光源稳定。把光刻掩模版安装在支架上，使有图形的玻璃面向下，再把涂有光刻胶的样品放在可微调的工作台上，胶面朝上，然后把光刻掩模版移到样品的上方，平行靠近而不接触。在显微镜下，仔细调节微动装置，使样品与掩模版紧紧相贴，然后用显微镜复查一下是否对准。定位好之后就可推至紫外灯光下进行曝光。曝光完毕，取出样品待显影。曝光时间的选择非常重要，在实验中我们一般选用40s的曝光时间。
4.显影
显影的目的是将未感光部分的光刻胶溶除，留下感光部分的胶膜，从而显现出我们所需要的图形。对于我们使用的光刻胶，采用溶解能力较强的丁酮作为显影液。它具有显影速度快、图形清晰和显影干净等优点。采用丙酮作为定影液。(www.xing528.com)
5.坚膜
由于在显影和定影时胶膜会发生软化、膨胀，所以显影后必须进行坚固胶膜的工作，简称坚膜。坚膜可以使胶膜与金属膜之间紧贴得更牢，同时也增强了胶膜本身的抗蚀能力。我们采用的是在烘箱坚膜，将显影和定影后的样品放在175℃的烘箱中热烘35min左右。
6.腐蚀
腐蚀是用适当的腐蚀液将无光刻胶膜覆盖的金属膜腐蚀掉，而有光刻胶覆盖的区域保存下来。因此所选用的腐蚀液必须既能腐蚀掉裸露的金属膜，又不损伤样品表面的光刻胶层。只有这样，才能把所需要的图形在金属膜上完整、准确地刻蚀出来。
7.去胶
当金属蒸发层上的图形腐蚀出来后，必须把覆盖在ZnO表面的保护胶膜去除。我们采用的是在加热的剥离液中煮30s左右，然后用去离子水超声波清洗。
光刻工艺流程示意图如图1−7所示。
图1-7 光刻工艺流程图
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