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PN结反向击穿的原理及应用

时间:2023-07-02 理论教育 版权反馈
【摘要】:但当电压超过某一数值时,反向电流会急剧增加,这种现象称为PN结反向击穿。当PN结两边的掺杂浓度很高,阻挡层又很薄时,阻挡层内载流子与中性原子碰撞的机会大为减少,因而不会发生雪崩击穿。这个内电场足以把PN结内中性原子的价电子从共价键中拉出来,产生出大量的电子-空穴对,使PN结反向电流剧增,这种击穿现象称为齐纳击穿。可见,齐纳击穿发生在高掺杂的PN结中,相应的击穿电压较低,一般均小于5 V。

PN结反向击穿的原理及应用

PN结反向偏置时,在一定的电压范围内,流过PN结的电流很小,基本上可视为零值。但当电压超过某一数值时,反向电流会急剧增加,这种现象称为PN结反向击穿。

反向击穿发生在空间电荷区。击穿的原因主要有电击穿和热击穿两种。

1.电击穿

(1)雪崩击穿。

当PN结上加的反向电压大大超过反向击穿电压时,处在强电场中的载流子获得足够大的能量碰撞晶格,将价电子碰撞出来,产生电子空穴对,新产生的载流子又会在电场中获得足够能量,再去碰撞其他价电子产生新的电子空穴对,如此连锁反应,使反向电流越来越大,这种击穿称为雪崩击穿。雪崩击穿属于碰撞式击穿,其电场较强,外加反向电压相对较高。通常出现雪崩击穿的电压均在7 V以上。当PN结两边的掺杂浓度很高,阻挡层又很薄时,阻挡层内载流子与中性原子碰撞的机会大为减少,因而不会发生雪崩击穿。

(2)齐纳击穿。(www.xing528.com)

PN结非常薄时,即使阻挡层两端加的反向电压不大,也会产生一个比较强的内电场。这个内电场足以把PN结内中性原子的价电子从共价键中拉出来,产生出大量的电子-空穴对,使PN结反向电流剧增,这种击穿现象称为齐纳击穿。可见,齐纳击穿发生在高掺杂的PN结中,相应的击穿电压较低,一般均小于5 V。

雪崩击穿是一种碰撞的击穿,齐纳击穿是一种场效应击穿,二者均属于电击穿。电击穿过程通常可逆:只要迅速把PN结两端的反向电压降低,PN结即可恢复到原状态。利用电击穿时PN结两端电压变化很小电流变化很大的特点,人们制造出工作在反向击穿区的稳压管

2.热击穿

若PN结两端加的反向电压过高,反向电流将急剧增长,从而造成PN结上热量不断积累,引起其结温的持续升高,当这个温度超过PN结最大允许结温时,PN结就会发生热击穿,热击穿将使PN结永久损坏。热击穿的过程是不可逆的,实用中应避免发生。

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