1.电阻器和电位器的型号命名方法
国产电阻器电阻器、电位器的命名由下列四部分组成:第一部分——主称;第二部分——材料;第三部分——分类特征;第四部分——序号。其型号及意义见附表1。
示例:
(1)精密金属膜电阻器
附表1 电阻器型号命名方法
（续）
(2)多圈线绕电位器
2.国产电容器的型号命名方法
国产电容器型号命名由四部分组成,各部分的含义见附表2。第一部分用字母“C”表示主称为电容器;第二部分用字母表示电容器的介质材料;第三部分用数字或字母表示电容器的特征分类;第四部分用数字表示序号。
示例:
(1)铝电解电容器
(2)圆片形瓷介电容器
附表2 电容器型号命名方法
（续）
(3)纸介金属膜电容器
3.国外电容器的型号命名方法
国外电容器的型号命名由六部分组成,各部分的含义见附表3。第一部分用字母表示电容器的类型;第二部分用数字表示外形结构;第三部分用字母表示温度特性;第四部分用字母或数字表示耐压值;第五部分用数字表示标称容量;第六部分用字母表示允许偏差。
4.国产半导体分立器件的命名方法(见附表4)
示例:
(1)锗材料PNP型低频大功率三极管
(2)硅材料NPN型高频小功率三极管
附表3 国外电容器的型号命名及含义
（续）
附表4 国产半导体分立器件的命名方法
（续）
(3)N型硅材料稳压二极管
(4)单结晶体管
5.国际电子联合会半导体器件的命名方法(见附表5)示例:
国际电子联合会晶体管型号命名方法的特点如下:
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此,凡型号以两个字母开头,并且第一个字母是A,B,C,D或R的晶体管,大都是欧洲制造的产品,或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料(A表示锗管,B表示硅管),但不表示极性(NPN型或PNP型)。
附表5 国际电子联合会半导体器件的命名方法
（续）
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管,D表示低频大功率管,F表示高频小功率管,L表示高频大功率管等。若记住了这些字母的意义,不查手册也可以判断出类别。例如,BL49型,一见便知是硅大功率专用晶体管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品;一个字母加两位数字者为专用品,顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如,AC184为PNP型,而AC185则为NPN型。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数(如hFE或NF)进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性(指NPN型或PNP型)。极性的确定需查阅手册或测量。
6.美国半导体器件的命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的型号命名法较混乱。附表6介绍的是美国晶体管标准型号命名方法,即美国电子工业协会(EIA)规定的晶体管分立器件型号的命名方法。
示例:
(1)JAN2N2904(https://www.xing528.com)
附表6 美国电子工业协会半导体器件的命名方法
(2)1N4001
美国晶体管型号命名方法的特点如下:
1)型号命名方法规定较早,又未作过改进,型号内容很不完备。例如,对于材料、极性、主要特性和类型,在型号中不能反映出来。例如,2N开头的既可能是一般晶体管,也可能是场效应晶体管。因此,仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。
2)组成型号的第一部分是前缀,第五部分是后缀,中间的三部分为型号的基本部分。
3)除去前缀以外,凡型号以1N、2N或3N……开头的晶体管分立器件,大都是美国制造的,或按美国专利在其他国家制造的产品。
4)第四部分数字只表示登记序号,而不含其他意义。因此,序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如,2N3464为NPN型高频大功率硅晶体管,而2N3465为N沟道场效应晶体管。
5)不同厂家生产的性能基本一致的器件,都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此,型号相同的器件可以通用。
6)登记序号数大的通常是近期产品。
7.日本半导体器件的命名方法
日本半导体分立器件(包括晶体管)或其他国家按日本专利生产的这类器件,都是按日本工业标准(JIS)规定的命名方法(JIS-C-702)命名的。
日本半导体分立器件的型号,由5～7部分组成。通常只用到前5部分。前5部分符号及意义见附表7。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性,其常用的符号有:
M——松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准的登记产品。
N——松下公司用来表示该器件符合日本广播协会(NHK)有关标准的登记产品。
Z——松下公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
H——日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
K——日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。
T——日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。
G——东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。
S——三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。
第七部分的符号,常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如,三菱公司常用R,G,Y等字母;日立公司常用A,B,C,D等字母,作为直流放大系数hFE的分档标志。
附表7 日本半导体器件的命名方法
示例:
(1)2SC502A(常用的中频放大管)
(2)2SA495(日本夏普公司小功率管)
日本半导体器件型号命名方法有如下特点:
1)型号中的第一部分是数字,表示器件的类型和有效电极数。例如,用“1”表示晶体二极管,用“2”表示晶体三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2)第二部分均为字母S,表示日本电子工业协会注册产品,而不表示材料和极性。
3)第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管,用J表示P沟道场效应晶体管。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。
4)第四部分只表示在日本工业协会(EIAJ)注册登记的顺序号,并不反映器件的性能,顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如,2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW,而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是,登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大,越是近期产品。
5)第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6)日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号,常采用简化标记的方法,即把2S省略。例如,2SD764,简化为D764,2SC502A简化为C502A。
7)在低频管(2SB和2SD型)中,也有工作频率很高的管子。例如,2SD355的特征频率fT为100MHz,所以,它们也可当高频管用。
8)日本通常把Pcm≥1W的晶体称做大功率晶体管。
8.国产模拟集成电路的命名方法(见附表8)
示例:
9.国外部分公司及产品代号(见附表9)
附表8 国产模拟集成电路的命名方法
附表9 国外部分公司及产品代号
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
