LTE16QAM调制情形对TX的缺陷提出了非常严格的要求，以满足误差矢量幅度（EVM）预算。对于LTE来说，应当采取措施将总误差降到最低限度。可以对每种影响因素分别进行分析，以满足QPSK中17.5%的EVM预算和16QAM中12.5%的EVM预算。在测试设备中的迫零均衡之后，开始进行EVM测量。相比之下，WCDMA HPSK EVM预算为17.5%，但在测试设备中没有采用任何均衡措施。实际上，设计目标确定的EVM预算大约为8%左右。我们将在下一节中讨论与EVM预算有关的TX缺陷。
1）载波抑制：由于EVM测量是在测试设备中的迫零均衡之后开始进行的，因而测试设备可以部分去除载波抑制这个影响因素。LTE标准已经针对载波抑制制定了单独的规范，以保证在ZF算法中，载波电平能够保持在合理取值范围内。当输出功率低时，TX链路中的小型DC频偏会在TPC精度无法得到满足的点处，生成一个高载波泄漏。在WCDMA低端，由于TPC范围高达为10dB，因而这个问题已经相当严重。因此，在RFTRX处采用了载波泄漏补偿技术，在整个TPC范围内，该技术通常可以实现40dB的载波抑制，从而使得在EVM预算中，该影响因素可以忽略不计。
2）偶数阶失真：由于偶数阶非线性的主要效果是扩大发射频谱，因而它会对ACLR产生影响。由于在邻信道和替代信道中，ACLR要求的值分别为33dB和43dB，因而在考虑EVM时，这些影响因素通常可以忽略不计。PA中的AM/AM问题也可以按照类似方法进行处理。
3）LO相位噪声：在调制星座中，感应抖动会生成相位误差，这会对EVM产生不利影响。由于发射端使用的SC-OFDMA是单载波的，因而相位噪声对EVM的影响与WCDMA中的情形类似。
4）PA失真：AM/PM（Phase Modulation，调相）失真（以及AM/AM失真）会对EVM产生影响，且也会在邻信道中生成不对称频谱功率。当发射功率增加时，AM/PM和AM/AM失真也随之增加。因此，LTEMPR机制能够保证针对WCDMA的PA设计不会在EVM预算中占太大比重。(www.xing528.com)
5）镜像：在上混过程中，由积分缺陷产生的信号镜像可以看作是频带噪声，它会对TX信号的SNR产生影响。相对于WCDMA，LTE在使用16QAM调制方式要求对这些缺陷进行更好的控制。
6）组延迟失真：在WCDMA中，当最小双工距离为45MHz时，I/QBBBW为2MHz。与WCDMA相比，当最小双工距离为30MHz时，I/Q BB BW为5MHz；当最小双工距离为80MHz时，I/Q BB BW为10MHz。需要使用较大的BB滤波，以确保双工频偏处的BB I/Q噪声比较低（支持SAW-less发射结构）。这意味着LTE BB滤波器的抑制频带衰减需要一个比WCDMA更严格的滤波器规范，从而存在着引入更多对EVM有影响的带内失真的可能性。
总之，与WCDMA相似，LTE EVM规范要求在RF缺陷方面要进行改进，同时还需要关注高带宽和小双工距离问题。同样，在LTE中，TX带外噪声问题也是很难处理的。
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