TMS320DM642片内不带Flash或EEPROM，系统掉电后，TMS320DM642存储器中的数据和程序将全部丢失，因此，TMS320DM642外部通常需要扩展Flash存储器，用于存储程序和重要的数据。Flash存储器也是通过TMS320DM642的EMIFA进行扩展，并由DSP或FPGA器件产生Flash芯片所需要的控制逻辑。
1.硬件电路设计
Flash（闪速存储器）是近些年发展起来的新型非易失性存储器，它具有掉电数据不丢失、快速数据存取、电可擦除、容量大、在线可编程序、价格低廉，以及足够多的擦写次数和较高的可靠性等诸多优点。本节以AMD公司的AM29LV160B为例介绍Flash扩展。
AM29LV160B芯片具有以下特点：
1）可以配置成2M×8bit或1M×16bit存储方式。
2）电源电压3.3V，存储速度快，最快可达70ns。
3）低功耗，擦写次数最少可达一百万次，数据可保存20年。
4）灵活的扇区工艺，支持全部擦除功能，支持扇区保护功能。
AM29LV160B与TMS320DM642的接口电路如图3-15所示。
图3-15 AM29LV160B与TMS320DM642的接口电路
由于TMS320DM642只支持8bit的ROM加载，所以必须把BYTE#接地，使AM29LV160B配置成2M×8bit模式，DQ15是该模式下的最低地址。同时，把RY/BY#接入一个指示灯，以显示AM29LV160B的擦除或烧写。
系统上电复位后，TMS320DM642的EDMA控制器从EMIF的CE1空间复制1KB的程序，放到零地址的内部存储器中；当EDMA传输完成后，CPU退出复位状态，开始执行零地址处的指令。
2.Flash擦除与读取程序
Flash的使用必须遵循规定的操作流程，写Flash之前要进行擦除操作。擦除分为两种模式，即芯片擦除和扇区擦除。对于8bitAM29LV160B的芯片擦除，需要按照如下步骤进行：
1）向0xAAA地址中写入数据0xAA。(https://www.xing528.com)
2）向0x555地址中写入数据0x55。
3）向0xAAA地址中写入数据0x80。
4）向0xAAA地址中写入数据0xAA。
5）向0x555地址中写入数据0x55。
6）向0xAAA地址中写入数据0x10。
【例3-2】 TMS320DM642扩展Flash电路原理图如图3-15所示，编写对Flash芯片进行芯片擦除的程序。
设计分析
按照芯片Datasheet的说明，分6步向相应的地址中写入对应的数据，即可完成芯片擦除的工作。程序代码
【例3-3】 TMS320DM642扩展Flash电路原理图如图3-15所示，编写程序将Flash芯片中的一段长度为length的数据从源数据区中读出。
设计分析
读Flash不需要写关键字，仅需要注意源地址、目标地址和数据长度的定义。
程序代码
定义读Flash的函数READ_flash（），程序如下：
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