TMS320DM642芯片内部只集成了256KB的SRAM，一般情况下都不能满足用户需求，需要在外部存储器接口（EMIF）上扩展存储空间。DSP采用大容量的SDRAM作为外部存储器，外部SDRAM结合片内RAM来使用，大大提高系统的性能。SDRAM既可以作为程序存储器，又可以作为数据存储器。当系统上电后，DSP程序通过主机下载到SDRAM中执行，同时暂存数据也可以放在SDRAM中，常用数据可以放在片内RAM中以提高执行效率。
1.硬件电路设计
TMS320DM642的EMIF在CE0空间提供了容量为1GB、宽度为64bit的SDRAM接口总线，为了符合64bit的接口，需要采用两片32bit的SDRAM。本系统选用了型号为MT48LC4M32B2的两片32bit的SDRAM芯片在片外扩展了64MB的动态存储空间。其中1片SDRAM与TMS320DM642连接的电路原理图如图3-14所示，地址输入引脚A[0～11]与TMS320DM642的引脚AEA[3～14]相连接。SDRAM的主要控制信号有：BA[1∶0]（BANK存储体选择）、CLK（时钟信号）、CKE（时钟使能信号）、/CS（片选使能信号）、/RAS（行地址选通信号）、/CAS（列地址选通信号）、/WE（写使能信号），所有的控制信号都与外部的133MHz时钟同步。BANK地址输入信号引脚BA[0～1]与TMS320DM642的引脚AEA[15～16]相连接。两片SDRAM的数据输入/输出接口DQ[0～31]分别与TMS320DM642的引脚AED[0～31]、AED[32～63]顺序连接。两片SDRAM的字节使能引脚DQM[0～3]分别与TMS320DM642的引脚/ABE[0～3]、/ABE[4～7]顺序连接，其中的DQM0控制DQ[0～7]字节使能，DQM1控制DQ[8～15]字节使能，DQM2控制DQ[16～23]字节使能，DQM3控制DQ[24～31]字节使能。SDRAM的CLK、CKE、/CS、/RAS、/CAS、/WE分别与TMS320DM642的对应引脚相连接。
图3-14 TMS320DM642扩展SDRAM的电路原理图
SDRAM正常工作一般包含以下几个步骤：
1）初始化。SDRAM芯片内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数，分别规定了SDRAM的操作模式、CAS潜伏期、突发传输方式和突发长度。
2）行有效。初始化完成后，要对一个BANK中的阵列进行寻址，首先要进行行激活操作，然后再确定列，虽然之前要进行片选和BANK定址，但它们可以和行有效同时进行。
3）列寻址。行地址确定之后，就要确定列地址，行地址和列地址的地址线是复用的，可以通过/CAS来确定和区分行地址和列地址，另外还需根据/WE确定读/写命令，高为读，低为写，列寻址信号和读/写命令是同时发出的。
4）数据输出。在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，接下来就是数据通过DQ数据线传输的执行了。数据输出一般会滞后/CAS命令2～3个时钟周期，这段时间被叫做CAS潜伏期。
5）数据写入。数据写入也是在列寻址后进行的，TMS320DM642在列寻址的同时可以同时对SDRAM进行写操作，此时/WE为低。(www.xing528.com)
6）刷新操作。动态存储器都存在刷新问题，否则会造成存储的数据丢失，当TMS320DM642的ASDCKE为低电平时，SDRAM进行自刷新。
制作PCB时，两片SDRAM的布线拓扑最好采用T形分支结构，且走线的分支点应靠近TMS320DM642，这样可以降低传输线上的信号反射。
2.SDRAM读/写程序
【例3-1】 第1片SDRAM芯片的基地址为0x80000000，第2片SDRAM芯片的基地址为0x80010000，编写程序对两片SDRAM芯片进行检测。
设计分析
在main.c文件中定义SDRAM的基地址和编写主要程序代码，利用CSL库函数和EMI-FA_Config结构配置TMS320DM642的EMIFA，然后分别向两片SDRAM芯片中写入一些测试数据，然后读出这些测试数据，将读出数据与写入数据进行对比，如果一致则说明SDRAM存储器工作正常。
程序代码
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